發(fā)布時間：2018-05-03 20:13

  本文選題：晶圓鍵合 + 化學反應鍵合��； 參考：《稀有金屬與硬質合金》2017年03期

【摘要】：利用Ar等離子體對晶圓表面進行激活處理,隨后進行Ni-Si晶圓鍵合。研究了等離子體表面激活過程中的氣體流量和反應離子刻蝕功率對晶圓鍵合效果的影響,并利用超聲掃描顯微鏡圖片來評估晶圓鍵合的質量。結果表明,等離子體表面激活處理利于得到氣泡和空洞數目較少的鍵合界面,從而有效提升晶圓鍵合的質量。
[Abstract]:The surface of wafer was activated by ar plasma and then bonded with Ni-Si wafer. The effects of gas flow rate and reactive ion etching power on wafer bonding during plasma surface activation were studied and the quality of wafer bonding was evaluated by ultrasonic scanning microscope images. The results show that the plasma surface activation treatment is conducive to the formation of a small number of bubbles and voids, which can effectively improve the quality of wafer bonding.
【作者單位】： 中國科學院微電子研究所微電子器件與集成技術重點實驗室;中國科學院微電子研究所高頻高壓器件與集成研發(fā)中心;
【基金】：國家科技重大專項(2011ZX02708-003)
【分類號】：TN305

【參考文獻】

相關期刊論文 前1條

1 Dong-ling LI;Zheng-guo SHANG;Sheng-qiang WANG;Zhi-yu WEN;;Low temperature Si/Si wafer direct bonding using a plasma activated method[J];Journal of Zhejiang University-Science C(Computers & Electronics);2013年04期

【共引文獻】

相關期刊論文 前2條

1 許維;王盛凱;劉洪剛;;基于Ar等離子體表面激活的Ni-Si晶圓鍵合工藝研究[J];稀有金屬與硬質合金;2017年03期

2 王小青;俞育德;寧瑾;;Researching the silicon direct wafer bonding with interfacial SiO_2 layer[J];Journal of Semiconductors;2016年05期

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本文編號：1839922