發(fā)布時(shí)間：2018-05-01 16:13

  本文選題：勞厄單色器 + 壓彎機(jī)構(gòu)　； 參考：《核技術(shù)》2017年01期

【摘要】：上海光源二期工程擬建的超硬多功能線站將采用一臺弧矢聚焦高能勞厄單色器,晶體壓彎機(jī)構(gòu)是單色器的核心部件,晶體弧矢半徑與子午半徑的優(yōu)化對單色器的光通量和分辨率有很大影響。本文利用有限元軟件分析了影響勞厄晶體壓彎性能的主要因素——斜切晶體的各向異性以及晶體的長寬比。通過分析,確定了硅晶體切割邊為[011]方向和[0-11]方向,晶體的優(yōu)化尺寸為90 mm×40 mm×1 mm。硅晶體表面的弧矢和子午面形誤差(均方根)分別為3.02μrad和1.25μrad,滿足設(shè)計(jì)要求。
[Abstract]:A sagittal focusing high energy Laue Monochromator will be used in the superhard multifunctional line station to be built in the second phase of Shanghai Light Source Project. The crystal bending mechanism is the core component of the Monochromator. The optimization of crystal radius and meridian radius has great influence on the luminous flux and resolution of Monochromator. In this paper, the anisotropy of oblique cut crystal and the aspect ratio of the crystal are analyzed by finite element software. The cutting edge of silicon crystal is determined to be [011] direction and [0-11] direction. The optimized size of the crystal is 90 mm 脳 40 mm 脳 1 mm. The surface errors of arc vector and meridional surface (RMS) of silicon crystal are 3.02 渭 rad and 1.25 渭 radrespectively, which meet the design requirements.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所;中國科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國家重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)專項(xiàng)(No.Y319071061) 中國科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所青年學(xué)者發(fā)展協(xié)作組(No.Y329051061)資助~~
【分類號】：TN304.12

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 余盛輝;薛松;祝萬錢;盧啟鵬;彭中琦;;弧矢壓彎晶面扭曲問題研究[J];核技術(shù);2013年07期

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 張海云;祝萬錢;秦宏亮;薛松;;高能勞厄單色器晶體壓彎性能的研究[J];核技術(shù);2017年01期

【二級參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 湯琦,馬健康,周泗忠,傅■;弧矢(Sagittal)聚焦雙晶單色器設(shè)計(jì)[J];光學(xué)精密工程;2002年04期

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 徐章程,郭常霖,趙宗彥,深町共榮,根岸利一郎,吉澤正美,中島哲夫;吸收限附近GaAs在勞厄情況下的熒光溢出[J];物理學(xué)報(bào);1998年02期

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本文編號：1830117