本文選題：銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管 + 遷移率��； 參考：《光電子技術(shù)》2016年04期

【摘要】：論述了IGZO TFT技術(shù)的背景、技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用。詳細(xì)介紹了IGZO TFT的結(jié)構(gòu),性能和生產(chǎn)工藝,并對(duì)IGZO TFT生產(chǎn)線存在的問(wèn)題和發(fā)展趨勢(shì)做出了展望。
[Abstract]:The background, technical advantages and application of IGZO TFT technology are discussed. The structure, performance and production process of IGZO TFT are introduced in detail, and the problems and development trend of IGZO TFT production line are prospected.
【作者單位】： 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司戰(zhàn)略情報(bào)部;
【分類(lèi)號(hào)】：TN321.5

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 胡愛(ài)斌;徐秋霞;;MOSFET遷移率增強(qiáng)技術(shù)[J];微電子學(xué);2007年01期

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前2條

1 于遙;PECVD分層結(jié)構(gòu)對(duì)氫化非晶硅TFT遷移率的影響[D];復(fù)旦大學(xué);2013年

2 常志剛;InGaAs/InAlAs量子阱中二維電子氣的磁輸運(yùn)性質(zhì)研究[D];廣西大學(xué);2014年

，

本文編號(hào)：1828397