1310nm垂直腔面發(fā)射激光器芯片制備技術(shù)的研究進(jìn)展
本文選題:垂直腔面發(fā)射激光器 + nm; 參考:《發(fā)光學(xué)報(bào)》2016年07期
【摘要】:垂直腔面發(fā)射激光器(VCSELs)在光纖通訊領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,國(guó)際上對(duì)VCSELs需求逐年增加,而國(guó)內(nèi)目前VCSELs的產(chǎn)業(yè)化尚屬空白。本文從兩方面著手綜述1 310 nm VCSELs制備方法。將可以制備出1 310 nm VCSELs的4種材料,從理論、制備、量產(chǎn)時(shí)需要考慮的因素等方面進(jìn)行較為全面的匯總分析;同時(shí)對(duì)兩種主流的制備方法從工藝步驟分析其在產(chǎn)業(yè)化方面的優(yōu)勢(shì)與不足。
[Abstract]:Vertical cavity surface emitting laser ( VCSELs ) has wide application prospect in the field of optical fiber communication . The domestic demand of VCSELs is increasing year by year , and the current industrialization of VCSELs is still blank .
【作者單位】: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;河南仕佳光子科技有限公司;
【基金】:“863”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(2015AA016902)資助項(xiàng)目
【分類(lèi)號(hào)】:TN248
【參考文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前9條
1 柯青;譚少陽(yáng);劉松濤;陸丹;張瑞康;王圩;吉晨;;Fabrication and optimization of 1.55-μm InGaAsP/InP high-power semiconductor diode laser[J];Journal of Semiconductors;2015年09期
2 賈鵬;秦莉;張星;韓振偉;李秀山;陳泳屹;寧永強(qiáng);王立軍;;大功率VCSEL三角列陣的空間相干性[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2015年06期
3 左致遠(yuǎn);夏偉;王鋼;徐現(xiàn)剛;;Wafer-bonding AlGaInP light emitting diodes with pyramidally patterned metal reflector[J];Journal of Semiconductors;2015年02期
4 朱振;張新;李沛旭;王鋼;徐現(xiàn)剛;;Voltage reduction of 808 nm GaAsP/(Al)GaInP laser diodes with GaInAsP intermediate layer[J];Journal of Semiconductors;2015年01期
5 王立軍;寧永強(qiáng);秦莉;佟存柱;陳泳屹;;大功率半導(dǎo)體激光器研究進(jìn)展[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2015年01期
6 張祥偉;寧永強(qiáng);秦莉;劉云;王立軍;;氧化光柵型垂直腔面發(fā)射激光器的研究[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2013年11期
7 勞燕鋒;曹春芳;吳惠楨;曹萌;劉成;謝正生;龔謙;;鍵合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面發(fā)射激光器[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2008年11期
8 羅向東,邊歷峰,徐仲英,羅海林,王玉琦,王建農(nóng),葛惟琨;GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs單量子阱的光學(xué)特性研究[J];物理學(xué)報(bào);2003年07期
9 江德生,王江波,C.Navarro,陳志標(biāo),俞水清,S.Chaparro,S.Johnson,曹勇,張永航,江德生,梁曉甘;GaAsSb /GaAs量子阱激光器結(jié)構(gòu)的發(fā)光研究[J];紅外與毫米波學(xué)報(bào);2002年S1期
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條
1 張妍;InGaAsP/InP多量子阱激光器的研究[D];北京郵電大學(xué);2012年
【共引文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 李文智;韋成華;高麗紅;馬壯;王富恥;吳濤濤;;散射光信號(hào)與石墨-二氧化硅激光輻照燒蝕閾值的關(guān)系[J];中國(guó)光學(xué);2016年06期
2 任博;侯艷;梁亞楠;;Research progress of Ⅲ-Ⅴ laser bonding to Si[J];Journal of Semiconductors;2016年12期
3 楊宏宇;舒世立;劉林;喬巖欣;;半導(dǎo)體激光器模塊散熱特性影響因素分析[J];半導(dǎo)體光電;2016年06期
4 陳濤;蔡錦達(dá);;半導(dǎo)體激光切割碳鋼板方法研究[J];電子科技;2016年09期
5 董劍;劉學(xué)勝;司漢英;彭超;劉友強(qiáng);曹明真;王智勇;;350 mJ LD側(cè)面抽運(yùn)Nd:YAG無(wú)水冷調(diào)Q激光器[J];中國(guó)激光;2016年11期
6 宋志強(qiáng);王偉濤;祁海峰;郭健;倪家升;王昌;;分布反饋光纖激光器封裝工藝[J];光子學(xué)報(bào);2016年08期
7 趙紅東;彭曉燦;馬俐;孫梅;;注入電流引起質(zhì)子轟擊VCSEL中的模式競(jìng)爭(zhēng)[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2016年08期
8 龐藝;李翔;趙柏秦;;Influence of the thickness change of the wave-guide layers on the threshold current of GaAs-based laser diode[J];Journal of Semiconductors;2016年08期
9 劉麗杰;吳遠(yuǎn)大;王s,
本文編號(hào):1805975
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1805975.html