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1310nm垂直腔面發(fā)射激光器芯片制備技術(shù)的研究進展

發(fā)布時間:2018-04-26 12:11

  本文選題:垂直腔面發(fā)射激光器 + nm; 參考:《發(fā)光學(xué)報》2016年07期


【摘要】:垂直腔面發(fā)射激光器(VCSELs)在光纖通訊領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,國際上對VCSELs需求逐年增加,而國內(nèi)目前VCSELs的產(chǎn)業(yè)化尚屬空白。本文從兩方面著手綜述1 310 nm VCSELs制備方法。將可以制備出1 310 nm VCSELs的4種材料,從理論、制備、量產(chǎn)時需要考慮的因素等方面進行較為全面的匯總分析;同時對兩種主流的制備方法從工藝步驟分析其在產(chǎn)業(yè)化方面的優(yōu)勢與不足。
[Abstract]:Vertical cavity surface emitting laser ( VCSELs ) has wide application prospect in the field of optical fiber communication . The domestic demand of VCSELs is increasing year by year , and the current industrialization of VCSELs is still blank .

【作者單位】: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子學(xué)國家重點實驗室;河南仕佳光子科技有限公司;
【基金】:“863”國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(2015AA016902)資助項目
【分類號】:TN248

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號:1805975


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