本文選題：絕緣柵雙極型晶體管 + 驅(qū)動(dòng)電路　； 參考：《電力電子技術(shù)》2017年09期

【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在各種中大功率電力電子裝置中得到廣泛應(yīng)用,但I(xiàn)GBT在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)產(chǎn)生的電壓電流過(guò)沖,不但會(huì)增加電路電磁干擾(EMI),甚至?xí)䲟p壞器件。所以在設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路時(shí)就需要考慮減小IGBT在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)中的電壓電流過(guò)沖。提出了一種新型的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,可減小IGBT的電壓電流過(guò)沖,相比于傳統(tǒng)的方法,可縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間,降低開(kāi)關(guān)損耗。
[Abstract]:Insulated gate bipolar transistor (IGBT) is widely used in various medium and high power power electronic devices, but the voltage and current overshoot produced by IGBT in the switching transient will not only increase the electromagnetic interference of the circuit, but also damage the device. Therefore, in designing the IGBT drive circuit, it is necessary to reduce the voltage and current overshoot of IGBT in the switching transient. A new type of IGBT drive circuit is proposed, which can reduce the voltage and current overshoot of IGBT. Compared with the traditional method, it can shorten the switching time and reduce the switching loss.
【作者單位】： 浙江大學(xué);
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51277161)~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN322.8

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本文編號(hào)：1800884