氯化鈉作為陰極緩沖層的有機電致發(fā)光器件
本文選題:有機電致發(fā)光器件 + NaCl�。� 參考:《中國科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué)》2017年12期
【摘要】:有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diodes,OLED)具有驅(qū)動電壓低、亮度和電流效率高、響應(yīng)時間快、易實現(xiàn)大面積柔性等突出優(yōu)點,在顯示和照明等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景.但是,由于這種二極管價格高昂,嚴(yán)重影響了其市場化的步伐.本研究使用價格便宜的氯化鈉(NaCl)薄膜作為OLED器件的陰極緩沖層,以ITO玻璃為襯底,制作了結(jié)構(gòu)為ITO/NPB(60?nm)/Alq3(50?nm)/NaCl(xnm)/Al(100?nm)的器件,其中x=0,1.5,2.0,2.5,3.0,3.5?nm.通過分析器件亮度-電壓-電流特性,詳細(xì)研究了NaCl薄膜厚度變化對OLED性能的影響.在器件陰極和Alq3之間加入一層NaCl薄膜后,J-V特性曲線明顯向左移動,器件的開啟電壓明顯下降.并且,隨著NaCl薄膜的厚度逐漸增加,在0 2.0?nm范圍,器件的開啟電壓隨著厚度的增加而明顯降低.當(dāng)NaCl薄膜的厚度為2.0?nm時,器件的開啟電壓最低.NaCl薄膜的厚度超過2.5?nm時,隨著NaCl薄膜厚度的增加,器件的開啟電壓也緩慢增加.但是,即使NaCl薄膜的厚度增加到3.5?nm,器件的開啟電壓還是遠低于沒有插入NaCl薄膜器件的開啟電壓.當(dāng)插入NaCl薄膜的厚度小于2.5?nm時,器件的電流效率遠大于沒有NaCl薄膜的器件.同時,結(jié)合載流子隧穿方程,深入分析了相關(guān)的物理機制.本研究為降低OLED生產(chǎn)成本開辟了一條新的途徑.
[Abstract]:Organic Light-Emitting diode (Ole) has many advantages, such as low driving voltage, high luminance and current efficiency, fast response time, easy to realize large area flexibility and so on. However, because this kind of diode price is high, seriously affected its market-oriented step. In this study, the inexpensive sodium chloride (NaCl) thin film was used as the cathode buffer layer of OLED devices, and the ITO glass substrate was used as the substrate. By analyzing the luminance, voltage and current characteristics of the device, the influence of the thickness of NaCl film on the performance of OLED is studied in detail. After adding a layer of NaCl film between the cathode of the device and the Alq3, the J-V characteristic curve of the device moves to the left obviously, and the starting voltage of the device decreases obviously. In addition, with the thickness of NaCl film increasing, the opening voltage of the device decreases obviously with the increase of the thickness of the device in the range of 0 2.0?nm. When the thickness of NaCl film is 2.0?nm, the minimum opening voltage of NaCl film is higher than that of 2.5?nm film. With the increase of NaCl film thickness, the opening voltage of the device increases slowly. However, even if the thickness of NaCl film is increased to 3.5 nm, the threshold voltage of the device is much lower than that of the device without NaCl film insertion. When the thickness of NaCl film is less than that of 2.5?nm, the current efficiency of the device is much higher than that of the device without NaCl film. At the same time, combined with the carrier tunneling equation, the related physical mechanism is analyzed in depth. This study opens up a new way to reduce the production cost of OLED.
【作者單位】: 重慶師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院重慶市光電功能材料重點實驗室重慶市高校光學(xué)工程重點實驗室;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(編號:60806047) 重慶市基礎(chǔ)科學(xué)與前沿技術(shù)研究專項(編號:CSTC2017jcyjAX0333,CSTC2015jcyjA70001,CSTC2015jcyjBX0032) 重慶市教委科學(xué)技術(shù)研究項目(編號:KJ1600327) 重慶高校創(chuàng)新團隊建設(shè)計劃(編號:201013)資助項目
【分類號】:TN383.1
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,本文編號:1794254
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