本文選題：IGBT + 結(jié)溫探測�。� 參考：《電子器件》2017年02期

【摘要】：實(shí)驗(yàn)室條件下,IGBT模塊的結(jié)溫探測是瞬態(tài)熱阻抗測試的關(guān)鍵。首先分別在熱穩(wěn)態(tài)和熱瞬態(tài)下證明了飽和壓降溫度特性只與芯片有關(guān),然后建立了IGBT模塊結(jié)溫探測模型,利用飽和壓降值和集電極電流值來計算結(jié)溫值,并將用模型計算出的結(jié)溫與光纖實(shí)測的結(jié)溫相比較,吻合性良好,證明了模型計算法能夠準(zhǔn)確探測結(jié)溫。該方法可以用于恒流加熱過程中瞬態(tài)熱阻抗的測量,比起熱敏參數(shù)法中冷卻過程測量瞬態(tài)熱阻抗相比,更具有實(shí)際意義。
[Abstract]:The detection of junction temperature of IGBT module in laboratory is the key of transient thermal impedance measurement. Firstly, it is proved that the temperature characteristic of saturation pressure drop is only related to the chip under the thermal steady state and the thermal transient state, then the IGBT module junction temperature detection model is established, and the junction temperature value is calculated by using the saturation pressure drop value and the collector current value. The junction temperature calculated by the model is in good agreement with that measured by the fiber, which proves that the model calculation method can accurately detect the junction temperature. This method can be applied to the measurement of transient thermal impedance in the process of constant flow heating, which is more meaningful than the measurement of transient thermal impedance in the cooling process of the thermal parameter method.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【基金】：國家科技支撐計劃項(xiàng)目(2015BAA09B01) 國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51377044) 河北省科技計劃項(xiàng)目(13214303D,14214503D)
【分類號】：TN322.8

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本文編號：1788079