本文選題：砷化鎵(GaAs) + 混頻器　； 參考：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年05期

【摘要】：采用0.25μm GaAs贗配高電子遷移率晶體管(PHEMT)工藝設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一款單片寬帶混頻器。該混頻器采用雙平衡混頻器結(jié)構(gòu),以串聯(lián)的兩個(gè)漏源相連的PHEMT作為環(huán)形二極管電橋中的二極管以提升混頻器線性度。本振巴倫和射頻巴倫均采用螺旋線式Marchand巴倫,為降低巴倫的幅度及相位不平衡度,采用遺傳算法對(duì)巴倫的幾何參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。該混頻器電路采用0.25μm GaAs PHEMT工藝實(shí)現(xiàn),芯片面積為1.5 mm×1.1 mm。測(cè)試結(jié)果表明,當(dāng)本振功率為20 dBm時(shí),變頻損耗小于7 dB,輸入三階交調(diào)點(diǎn)IIP_3大于22 dBm。本振端口到射頻端口和中頻端口的隔離度均大于30 dB。
[Abstract]:A monolithic wideband mixer is designed and implemented using 0.25 渭 m GaAs pseudo-electron mobility transistor (PHEMTT) process. The mixer adopts a dual balanced mixer structure, and the PHEMT connected to two drain sources in series is used as the diode in the ring diode bridge to enhance the linearity of the mixer. In order to reduce the amplitude and phase imbalance of Marchand Barron, both Benchembrandt and RF Barron are optimized by genetic algorithm (GA) in order to reduce the amplitude and phase imbalance of Barron. The circuit is realized by 0.25 渭 m GaAs PHEMT technology. The chip area is 1.5 mm 脳 1.1 mm. The test results show that when the local oscillator power is 20 dBm, the frequency conversion loss is less than 7 dB, and the third order IIP_3 is more than 22 dB m. The isolation of local oscillator port to RF port and if port is more than 30 dB.
【作者單位】： 河北科技大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十四研究所;
【基金】：河北省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(F2014208113)
【分類號(hào)】：TN773

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本文編號(hào)：1786495