本文選題：多模衛(wèi)星組合導(dǎo)航 + 低噪聲放大器(LNA)�。� 參考：《浙江大學(xué)學(xué)報(工學(xué)版)》2017年04期

【摘要】：針對近年來快速發(fā)展的多模衛(wèi)星組合導(dǎo)航技術(shù)需求,提出覆蓋主流全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)(GNSS)頻段(包括GPS、GLONASS、伽利略、北斗)的低噪聲放大器模塊.該低噪聲放大器模塊采用SIP封裝技術(shù),在一個3 mm×3mm×1mm的塑料封裝內(nèi)集成了低噪聲放大器芯片及輸入輸出匹配電路等片外電路,封裝外無需額外分立元件.低噪聲放大器芯片采用低噪聲的0.25μm GaAs pHEMT工藝流片.在芯片設(shè)計中,提出新型的有源偏置電路,可以抵御電源電壓和環(huán)境溫度的波動,使該低噪聲放大器模塊能夠在復(fù)雜的環(huán)境中穩(wěn)定工作.測試結(jié)果表明,該低噪聲放大器模塊在工作頻段內(nèi)噪聲系數(shù)約為0.65dB,增益可達(dá)20dB,輸入輸出回波損耗小于-10dB,中心頻率輸入三階互調(diào)阻斷點(diǎn)為0.6dBm,電源電壓為3.3V,功耗為15mW.
[Abstract]:In view of the rapid development of multi-mode satellite integrated navigation technology in recent years, a low-noise amplifier module covering the GNSS band (including GPS GLONASS, Galileo, Beidou) of the mainstream global satellite navigation system (GNSS) is proposed.The low noise amplifier (LNA) module adopts SIP encapsulation technology. The LNA chip and the input / output matching circuit are integrated in a 3 mm 脳 3mm 脳 1mm plastic package. There is no need for additional discrete components outside the package.The low noise amplifier chip adopts low noise 0. 25 渭 m GaAs pHEMT process.In the chip design, a new type of active bias circuit is proposed, which can resist the fluctuation of power supply voltage and ambient temperature, so that the low noise amplifier module can work stably in complex environment.The test results show that the noise coefficient of the LNA module is about 0.65 dB, the gain can reach 20 dB, the input and output echo loss is less than -10 dB, the center frequency input third order Intermodulation blocking point is 0.6 dBm, the power supply voltage is 3.3 V, and the power consumption is 15 MW.
【作者單位】： 浙江大學(xué)航空航天學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61401395) 浙江省教育廳資助項目(Y201533913) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項資助項目(2016QNA4025,2016QN81002)
【分類號】：TN722.3

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本文編號：1771305