本文選題：MBE + CdTe/InSb��； 參考：《激光與紅外》2017年04期

【摘要】：成功制備了CdTe/InSb復合襯底,為長波HgCdTe外延提供了可能。通過工藝研究解決了InSb氧化層去除及In元素擴散控制兩個難點問題,使用As鈍化法可以解決雙腔襯底轉(zhuǎn)移的問題,在常用的退火工藝下,通過厚度的調(diào)整可以阻擋In元素的擴散。
[Abstract]:CdTe/InSb composite substrates were successfully prepared, which provided the possibility for long wave HgCdTe epitaxy.Two difficult problems of InSb oxide removal and in element diffusion control are solved through process research. The problem of double cavity substrate transfer can be solved by using as passivation method.The diffusion of in elements can be prevented by adjusting the thickness.
【作者單位】： 華北光電技術研究所;
【分類號】：TN304.2

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本文編號：1767071