發(fā)布時(shí)間：2018-04-16 19:51

  本文選題：GaAs贗配高電子遷移率晶體管(PHEMT) + 柵凹槽��； 參考：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年03期

【摘要】：對GaAs贗配高電子遷移率晶體管(PHEMT)在柵凹槽光刻和柵凹槽腐蝕過程中光刻窗口內(nèi)經(jīng)常出現(xiàn)的一些沾污顆粒進(jìn)行了分析。設(shè)計(jì)了一系列實(shí)驗(yàn)來分析殘留在芯片上的顆粒度參數(shù),采用4英寸(1英寸=2.54 cm)圓片模擬實(shí)際的柵凹槽清洗工藝過程,利用顆粒度測試儀分別測試了4英寸圓片表面不同粒徑的沾污顆粒數(shù)在噴淋和兆聲清洗兩種條件下的變化情況。比較兩種清洗結(jié)果,兆聲清洗方法可以有效去除柵凹槽顆粒沾污。在實(shí)際流片過程中,采用兆聲清洗方法大幅降低了源漏間溝道漏電數(shù)值,同時(shí)芯片的直流參數(shù)成品率由之前的75%提高到了93%。
[Abstract]:Some contaminated particles often appear in the gate groove lithography and the gate groove etching process by using GaAs pseudo-matched high electron mobility transistor (PHEMTT) are analyzed in this paper.A series of experiments were designed to analyze the particle parameters remaining on the chip. The 4 inch / 1 inch / 2.54 cm wafer was used to simulate the actual cleaning process of the gate grooves.The change of the number of contaminated particles with different particle sizes on the surface of 4-inch wafer was measured by particle size tester under two conditions of spray and sonographic cleaning.Compared with the two cleaning results, the method of megaphone cleaning can effectively remove the particle contamination of the grate grooves.In the process of actual flow sheet, the leakage value of channel between source and drain is greatly reduced by using the method of megaphone cleaning, and the yield of DC parameters of the chip is increased from 75% to 933%.
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【分類號(hào)】：TN386

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1 崔z

本文編號(hào)：1760346