發(fā)布時(shí)間：2018-04-16 13:17

  本文選題：激光光學(xué) + 半導(dǎo)體激光芯片　； 參考：《中國(guó)激光》2017年06期

【摘要】：通過設(shè)計(jì)極低損耗808nm半導(dǎo)體激光芯片外延結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)腔內(nèi)損耗小于0.5cm~(-1)。采用該高效率外延結(jié)構(gòu)研制出高峰值功率808nm巴條芯片,巴條的填充因子為85%,包含60個(gè)發(fā)光點(diǎn),發(fā)光區(qū)寬度為140μm,腔長(zhǎng)為2mm。在驅(qū)動(dòng)電流為500A,脈沖寬度為200μs,重復(fù)頻率為400 Hz,占空比為8%的工作條件下,該芯片的準(zhǔn)連續(xù)(QCW)峰值輸出功率為613 W,斜率效率達(dá)1.34 W/A,峰值波長(zhǎng)為807.46nm,光譜半峰全寬為2.88nm。任意選取5只芯片,在準(zhǔn)連續(xù)300 W(占空比8%)條件下進(jìn)行了壽命驗(yàn)證,芯片壽命達(dá)到3.63×109 shot,定功率300W下電流變化小于10%,達(dá)到商業(yè)化水平。
[Abstract]:Through the design of low loss 808nm semiconductor laser chip epitaxial structure, intracavity loss is less than 0.5cm~ (-1). The development of high peak power 808nm chip bar using the high efficiency epitaxy structure, bar fill factor of 85%, including 60 light emitting region, 140 m width, the cavity length of 2mm. in drive the current is 500A, the pulse width is 200 s, repetition rate of 400 Hz and a duty cycle of 8% working conditions, the quasi continuous chip (QCW) peak output power is 613 W, the slope efficiency of 1.34 W/A, the peak wavelength is 807.46nm, the spectral full width at half maximum of 2.88nm. randomly selected 5 in 300 W chip, quasi continuous wave (8% duty cycle) was carried out under the condition of life verification, chip life reached 3.63 * 109 shot, constant current power changes of 300W less than 10%, reaching the level of commercialization.

【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所瞬態(tài)光學(xué)與光子技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;西安立芯光電科技有限公司;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61504167) 中國(guó)科學(xué)院百人計(jì)劃基金(Y429941233) 陜西省自然科學(xué)基金(2015JQ6263)
【分類號(hào)】：TN248.4

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1759103