本文選題：金屬場板 + 巴利加優(yōu)值　； 參考：《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》2017年01期

【摘要】：提出了一種高性能快速關(guān)斷型槽柵MOS器件.與常規(guī)型器件相比,這種新型器件在氧化槽內(nèi)引入了兩個垂直場板,這不僅使得器件在漂移區(qū)內(nèi)引入了兩個新的電場峰值,增大了器件的擊穿電壓BV,而且使得器件垂直漏場板周圍形成了一層濃度更大的積累層,降低了導(dǎo)通電阻.故提高了器件的巴利加優(yōu)值FOM.由于這種新型器件縱向柵、漏場板之間存在的垂直場板使得影響器件開關(guān)速度的柵漏電容值部分轉(zhuǎn)化為器件的柵源電容以及漏源電容.結(jié)果分析表明:氧化槽寬度為1.7μm、漂移區(qū)濃度為2.3×1015cm-3時(shí)這個新型器件巴利加優(yōu)值FOM提升了84.8%,柵漏電荷Q_(GD)提升了26.8%.
[Abstract]:A high performance fast turn-off slot gate MOS device is proposed.Compared with conventional devices, this new type of device introduces two vertical field plates in the oxidation tank, which not only makes the device introduce two new electric field peaks in the drift region.The breakdown voltage BV of the device is increased, and an accumulation layer with higher concentration is formed around the vertical leakage plate, which reduces the on-resistance.Therefore, the Baligaard value FOM of the device is improved.Due to the longitudinal gate of the new device, the vertical field plate between the drain field plates makes the gate leakage capacitance which affects the switching speed of the device partly converted into the gate source capacitance and the drain source capacitance of the device.The results show that when the width of the oxidation channel is 1.7 渭 m and the concentration of drift region is 2.3 脳 1015cm-3, the Baligaard value FOM is increased by 84.8and the gate leakage charge QD is increased by 26.8%.
【作者單位】： 西南交通大學(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【分類號】：TN386

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本文編號：1754341