本文選題：IGBT + 絕緣柵雙極型晶體管��； 參考：《吉林大學》2017年碩士論文

【摘要】：隨著電動車、高速動車等行業(yè)的迅猛發(fā)展,電力電子也進入了高速發(fā)展的快車道,IGBT作為高電壓,大功率的換能器件,具有輸入阻抗大,導通壓降小、驅(qū)動電路相對簡單等優(yōu)點,作為大功率的換能轉(zhuǎn)換器件,也受到了越來越多的關(guān)注。而IGBT的價格相對較高,又工作在高壓,大功率的環(huán)境中,易損壞,所以IGBT的驅(qū)動電路設(shè)計中要做到對IGBT充分的保護功能,所以越來越多的研究IGBT驅(qū)動電路的研究被大家重視。本文是基于電動車控制器,簡要介紹了控制器的各個功能模塊,主要針對控制器中IGBT的選型、工作特性等方面進行介紹,。分析了IGBT的工作原理,IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計要求以及注意事項,列舉了幾種目前常見的有效抑制IGBT開關(guān)過程中反峰電壓的方案,并提出了一種新的上下臂結(jié)合新方法,通過理論分析,及Cadence中的OrCAD仿真模塊進行仿真,驗證了方案的有效性和可行性。同時還簡要介紹了IGBT的發(fā)熱損耗和短路保護等。最后從整體上對本文進行了總結(jié),指出了本課題的不足與需要改進之處,并對課題的下一階段工作做了簡單的規(guī)劃。讀者讀完此篇文章會對IGBT的基礎(chǔ)以及發(fā)展現(xiàn)狀有了一個整體的初步認識。
[Abstract]:With the rapid development of electric vehicles, high-speed motor cars and other industries, power electronics has also entered the high-speed development of fast lane IGBT as a high-voltage, high-power transducer, with the advantages of large input impedance, small on-voltage drop, relatively simple drive circuit, etc.As a high power conversion device, more and more attention has been paid to it.The price of IGBT is relatively high, and it is easy to be damaged in the environment of high voltage and high power. Therefore, the design of IGBT drive circuit should provide sufficient protection to IGBT, so more and more researches on IGBT drive circuit are paid more and more attention to.This article is based on the electric vehicle controller, briefly introduces the controller each function module, mainly carries on the introduction to the controller in the controller IGBT selection, the work characteristic and so on aspect and so on.This paper analyzes the design requirements and points for attention of the IGBT driving circuit, enumerates several common schemes to effectively suppress the reverse peak voltage in the process of IGBT switch, and puts forward a new method for the combination of upper and lower arms.The effectiveness and feasibility of the scheme are verified by theoretical analysis and OrCAD simulation module in Cadence.At the same time, the heat loss and short circuit protection of IGBT are briefly introduced.Finally, the paper summarizes the whole paper, points out the shortcomings and needs improvement, and makes a simple plan for the next stage of the project.After reading this article, the reader will have a general understanding of the foundation and development of IGBT.
【學位授予單位】：吉林大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2017
【分類號】：TN322.8

【參考文獻】

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本文編號：1749743