發(fā)布時(shí)間：2018-04-13 13:20

  本文選題：間隔層 + 激基復(fù)合物　； 參考：《發(fā)光學(xué)報(bào)》2017年04期

【摘要】：為研究激基復(fù)合物器件激子復(fù)合區(qū)域的變化,在TPD/BPhen界面可形成激基復(fù)合物發(fā)光的基礎(chǔ)上,以Ir(pq)2(acac)為探測層,制備器件ITO/Mo O_3(2.5 nm)/TPD((40-x)nm)/Ir(pq)2(acac)(0.5 nm)/TPD(x,x=0,3,6,10 nm)/BPhen(40 nm)/Cs2CO_3/Al,其中靠近BPhen的TPD稱之為間隔層。電致發(fā)光光譜表明,該組器件的激子復(fù)合區(qū)域主要位于Ir(pq)2(acac)薄層和TPD/BPhen界面,分別發(fā)射595 nm和478 nm的光。隨著TPD間隔層厚度的增加和電壓的升高,發(fā)光區(qū)域向激基復(fù)合物區(qū)域(TPD/BPhen界面)移動(dòng),即更多的電子和空穴在TPD/BPhen界面形成激基復(fù)合物發(fā)光,Ir(pq)2(acac)發(fā)光減弱。當(dāng)間隔層厚度由0 nm增至10nm時(shí),6 V電壓下的Ir(pq)2(acac)和激基復(fù)合物發(fā)光強(qiáng)度的比值由44降至1.5。對于間隔層厚度為6 nm的器件,Ir(pq)2(acac)和激基復(fù)合物發(fā)光強(qiáng)度的比值由6 V時(shí)的2.8降至10 V時(shí)的1.0。由此可見,激基復(fù)合物給體作間隔層能有效調(diào)節(jié)激子復(fù)合區(qū)域。
[Abstract]:The light emission intensity of Ir ( pq ) 2 ( acac ) and exciplex at 6 V was decreased from 2.8 to 1.5 when the thickness of the spacer layer increased from 0 nm to 10nm .

【作者單位】： 華東理工大學(xué)理學(xué)院物理系;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11504109) 上海市大學(xué)生創(chuàng)新訓(xùn)練項(xiàng)目(S16089)資助~~
【分類號】：TN383.1

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本文編號：1744680