發(fā)布時間：2018-04-12 19:34

  本文選題：電致發(fā)光 + 器件結(jié)構(gòu)　； 參考：《吉林大學》2017年碩士論文

【摘要】：有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diodes,OLEDs)因其在平板顯示和固態(tài)照明領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,引起了科研人員的廣泛關(guān)注。根據(jù)發(fā)光原理及過程的不同,有機發(fā)光材料可以分為磷光材料和熒光材料兩類。其中磷光材料由于可以充分利用單重態(tài)和三重態(tài)激子的能量,理論上能夠達到100%的內(nèi)量子效率,因此被眾多的研究者所關(guān)注。在本論文中,我們主要對器件的制備工藝和設(shè)計思路進行了研究,利用銥配合物磷光材料(藍色磷光材料FCNIrpic和紅色磷光材料Ir(piq)3)分別設(shè)計并制備了高效的單/雙發(fā)光層器件。首先我們選擇藍色磷光材料,銥配合物FCNIrpic作為發(fā)光材料,采用雙極性材料CzSi作為主體材料,進而優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),在器件的空穴傳輸層和發(fā)光層之間加入一層階梯層,制備出高效的單發(fā)光層藍色磷光器件。通過對比銥配合物FCNIrpic其它已報到的不同結(jié)構(gòu)藍色磷光器件,重點分析他們的發(fā)光性能和發(fā)射光譜,我們深入探究了不同器件結(jié)構(gòu)下載流子傳遞和分布過程。實驗結(jié)果表明在空穴傳輸層和發(fā)光層之間引入一層階梯層能夠促進空穴的注入和傳輸,從而提高器件性能,同時有助于提高器件色純度。隨后,我們采用銥配合物Ir(piq)3作為紅色磷光材料,以空穴型材料TcTa和雙極性材料26DCzPPy作為主體材料,制備出高效的單/雙發(fā)光層紅色磷光器件。此外,為了進一步優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),我們引入另一種能級(HOMO/LUMO)較低的銥配合物FIrpic來敏化紅色磷光材料Ir(piq)3,同樣制備出一系列單/雙發(fā)光層紅光器件。實驗結(jié)果表明:在發(fā)光層中引入敏化劑FIrpic不僅能夠提高器件性能,還能延緩器件效率的衰減。之后,我們圍繞發(fā)光層中載流子的分布情況,系統(tǒng)地研究了敏化劑FIrpic分子在電子主導發(fā)光層中的作用,并分析了其對提高器件性能和減緩器件性能衰減的機理與過程。最終發(fā)現(xiàn)敏化劑FIrpic分子在紅色磷光器件中起到了電子俘獲中心的作用,能夠拓寬復(fù)合區(qū)間并平衡載流子的分布,從而提高器件性能,延緩器件效率的衰減。
[Abstract]:Organic Light-Emitting diodes (OLEDs) have attracted wide attention due to their wide application prospects in flat panel display and solid state lighting.According to the principle and process of luminescence, organic luminescent materials can be divided into phosphorescent materials and fluorescent materials.The phosphorescence material has attracted much attention because it can make full use of the energy of singlet and triplet excitons and achieve an internal quantum efficiency of 100% theoretically.In this thesis, we mainly studied the fabrication process and design idea of the device. Using the iridium complex phosphorescence material (FCNIrpic) and the red phosphorescence material (Irnpiq ~ (3)), we designed and fabricated the highly efficient single / double luminescent layer devices respectively.Firstly, we choose blue phosphorescence material, iridium complex FCNIrpic as luminescent material, and bipolar material CzSi as main material, and then optimize the device structure, and add a step layer between the hole transport layer and the luminescence layer of the device.A single layer blue phosphorescence device with high efficiency was fabricated.By comparing other blue phosphorescence devices with different structures reported by the iridium complex FCNIrpic and focusing on their luminescent properties and emission spectra, we investigate the carrier transport and distribution process in different structures.The experimental results show that the introduction of a step layer between the hole transport layer and the luminous layer can promote the injection and transmission of the hole, thus improving the device performance and the color purity of the device.Subsequently, we use iridium complex Ir(piq)3 as red phosphorescence material, hole type material TcTa and bipolar material 26DCzPPy as main material to fabricate high efficiency single / double luminescent layer red phosphorescence device.In addition, in order to further optimize the structure of the device, we introduce another kind of lower iridium complex, FIrpic, to sensitize the red phosphorescent material Irnpiq ~ (3 +), and we also fabricate a series of single / double luminescent layer red light devices.The experimental results show that the introduction of sensitizer FIrpic into the luminescent layer can not only improve the performance of the device, but also delay the attenuation of the device efficiency.Then we systematically study the role of sensitizer FIrpic molecule in the electron-dominated luminescence layer around the distribution of carriers in the luminescent layer and analyze the mechanism and process of improving the device performance and slowing down the device performance decay.Finally, it is found that the sensitizer FIrpic molecule acts as an electron capture center in red phosphorescence devices, which can widen the recombination range and balance the carrier distribution, thus improving the device performance and delaying the decay of the device efficiency.
【學位授予單位】：吉林大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2017
【分類號】：TN383.1

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