發(fā)布時(shí)間：2018-04-12 17:43

  本文選題：HgCdTe + 光伏探測(cè)器��； 參考：《紅外與毫米波學(xué)報(bào)》2017年03期

【摘要】：研究了光伏型HgCdTe中波探測(cè)器的暗電流與烘烤時(shí)間的關(guān)系特性.編寫了一種適用于n-on-p型的中波HgCdTe紅外探測(cè)器的解析擬合程序.結(jié)合暗電流的主導(dǎo)機(jī)制有擴(kuò)散機(jī)制、產(chǎn)生復(fù)合機(jī)制、帶間直接隧穿機(jī)制和陷阱輔助隧穿機(jī)制.通過對(duì)樣品不同烘烤時(shí)間的R-V曲線的解析擬合,得到了它們的暗電流成分,提取了6個(gè)特征參數(shù).通過對(duì)比不同烘烤時(shí)間特征參數(shù)的變化,分析了烘烤對(duì)器件的影響.
[Abstract]:The relationship between dark current and baking time of photovoltaic HgCdTe detector is studied.An analytical fitting program for medium wave HgCdTe infrared detector suitable for n-on-p type is developed.The dominant mechanism of combining dark current is diffusion mechanism, compound mechanism, inter band direct tunneling mechanism and trap assisted tunneling mechanism.By analyzing the R-V curves of the samples at different baking times, the dark current components were obtained and six characteristic parameters were extracted.By comparing the characteristic parameters of different baking time, the influence of baking on the device is analyzed.
【作者單位】： 安徽大學(xué)物理與材料科學(xué)學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11374013,51672001)~~
【分類號(hào)】：TN215

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前3條

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【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前7條

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本文編號(hào)：1740764