本文選題：HgCdTe + 光伏探測器　； 參考：《紅外與毫米波學報》2017年03期

【摘要】：研究了光伏型HgCdTe中波探測器的暗電流與烘烤時間的關(guān)系特性.編寫了一種適用于n-on-p型的中波HgCdTe紅外探測器的解析擬合程序.結(jié)合暗電流的主導機制有擴散機制、產(chǎn)生復(fù)合機制、帶間直接隧穿機制和陷阱輔助隧穿機制.通過對樣品不同烘烤時間的R-V曲線的解析擬合,得到了它們的暗電流成分,提取了6個特征參數(shù).通過對比不同烘烤時間特征參數(shù)的變化,分析了烘烤對器件的影響.
[Abstract]:The relationship between dark current and baking time of photovoltaic HgCdTe detector is studied.An analytical fitting program for medium wave HgCdTe infrared detector suitable for n-on-p type is developed.The dominant mechanism of combining dark current is diffusion mechanism, compound mechanism, inter band direct tunneling mechanism and trap assisted tunneling mechanism.By analyzing the R-V curves of the samples at different baking times, the dark current components were obtained and six characteristic parameters were extracted.By comparing the characteristic parameters of different baking time, the influence of baking on the device is analyzed.
【作者單位】： 安徽大學物理與材料科學學院;中國科學院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金(11374013,51672001)~~
【分類號】：TN215

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：1740764