本文選題：振蕩器 + SR鎖存器　； 參考：《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》2017年09期

【摘要】：為了設(shè)計(jì)出抗輻射加固的DC-DC開關(guān)電源振蕩器,其中SR鎖存器的抗輻射性能至關(guān)重要,提出了一種新穎的抗輻射加固SR鎖存器電路.該抗輻射加固SR鎖存器基于空間冗余設(shè)計(jì)的思想,已經(jīng)在標(biāo)準(zhǔn)商用2P5M0.25μm工藝下設(shè)計(jì)和驗(yàn)證,電路版圖面積為130μm×50μm,能夠抗最大的總劑量效應(yīng)為100kRad(Si),可以承受的最大線性能量傳輸LET為85 MeV-cm2/mg.相比于三模冗余SR鎖存器,所設(shè)計(jì)的抗輻射加固SR鎖存器電路的晶體管數(shù)目更少,電路節(jié)點(diǎn)的臨界電荷更大,在電路節(jié)點(diǎn)同時(shí)發(fā)生多處翻轉(zhuǎn)的情況下,抗單粒子翻轉(zhuǎn)的成功率更高.
[Abstract]:In order to design an anti-radiation reinforced DC-DC switching power oscillator, in which the anti-radiation performance of SR latch is very important, a novel anti-radiation reinforcement SR latch circuit is proposed.The anti-radiation reinforcement SR latch is based on the idea of spatial redundancy design. It has been designed and verified in standard commercial 2P5M0.25 渭 m process. The circuit layout area is 130 渭 m 脳 50 渭 m, the maximum total dose effect is 100 kRad-Si Si, and the maximum linear energy transfer LET is 85 MeV-cm2 / mg.Compared with the three-mode redundant SR latch, the designed anti-radiation strengthened SR latch circuit has fewer transistors and greater critical charge at the circuit node.The success rate of anti-single-particle reversal is higher.
【作者單位】： 西北工業(yè)大學(xué)計(jì)算機(jī)學(xué)院;斯特拉斯堡大學(xué);
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11575144,61504108)
【分類號】：TN402

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本文編號：1735189