本文選題：硅負極　切入點：固體電解質(zhì)界面膜　出處：《物理化學(xué)學(xué)報》2016年01期

【摘要】：利用原子力顯微鏡原位研究單晶硅片負極在首次充放電循環(huán)中的界面形貌變化。硅負極表面固體電解質(zhì)界面(SEI)膜的形成過程為:初始SEI膜從1.5 V開始形成,在1.25 1.0 V之間生長快速,0.6 V左右生長緩慢。初始SEI膜具有層狀結(jié)構(gòu)的特征,表層薄膜較軟,下層呈顆粒狀,機械穩(wěn)定性較好。在鋰化電位下,硅負極表面的單晶結(jié)構(gòu)逐漸變得顆粒化,發(fā)生不可逆的結(jié)構(gòu)變化。經(jīng)過首個充放電循環(huán)后,硅負極表面被厚度不均一的SEI膜所覆蓋,SEI膜的厚度大約為10 40 nm。
[Abstract]:The interface morphology of single crystal silicon wafer negative electrode during the first charge / discharge cycle was studied by in situ atomic force microscope (AFM).The formation process of the solid electrolyte interface (SEI) film on the surface of silicon anode is as follows: the initial SEI film is formed from 1. 5 V to 1. 25 V, and the growth rate is about 0. 6 V between 1. 25 V and 1. 0 V.The initial SEI film has the characteristic of layered structure, the surface film is soft, the lower layer is granular, and the mechanical stability is better.At the lithium potential, the single crystal structure on the surface of the silicon anode becomes granulated gradually, and the structure changes irreversibly.After the first charge / discharge cycle, the thickness of the SEI film is about 10 ~ 40 nm.
【作者單位】： 中國科學(xué)院化學(xué)研究所 分子納米結(jié)構(gòu)與納米技術(shù)實驗室 北京分子科學(xué)國家實驗室;
【基金】：科技部(2011YQ03012415,2011CB932302) 國家自然科學(xué)基金(21127901,21573252)資助項目~~
【分類號】：TM912;TN304.12

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本文編號：1729631