本文選題：金剛石　切入點：電網　出處：《微納電子技術》2017年03期

【摘要】：未來電網的快速發(fā)展對半導體材料特性,尤其是電學特性提出了更高要求。結合電網應用,通過比較金剛石及其他半導體材料(包括Si,4H-SiC及GaN等),顯示出金剛石材料全方位的特性優(yōu)勢;進一步比較國際上常用的金剛石生長方法,確定微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法是目前能夠穩(wěn)定沉積均勻大尺寸、純凈金剛石薄膜最具前途的技術,這為電力電子器件的制備奠定了基礎。同時,對金剛石電力電子器件的發(fā)展進行了總結,并對其在電網中的應用進行了展望,提出擴大單晶尺寸、降低單晶缺陷、實現(xiàn)n型摻雜等方面將是進一步研究的重點。
[Abstract]:The rapid development of power grid in the future requires higher characteristics of semiconductor materials, especially electrical properties.By comparing diamond and other semiconductor materials (such as Si-4H-SiC and GaN, etc.) with the application of power grid, the all-round characteristic advantages of diamond materials are shown, and the diamond growth methods commonly used in the world are further compared.It is determined that microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method is the most promising technique for stable deposition of uniform and large size and pure diamond films, which lays a foundation for the fabrication of power electronic devices.At the same time, the development of diamond power electronic devices is summarized, and its application in power grid is prospected. It is pointed out that expanding single crystal size, reducing single crystal defects and realizing n-type doping will be the key points of further research.
【作者單位】： 全球能源互聯(lián)網研究院功率半導體研究所;國網山東省電力公司;
【基金】：國家高技術研究發(fā)展計劃(863計劃)資助項目(2014AA052401) 國家電網公司科技項目(5455DW150013)
【分類號】：TN303

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本文編號：1727704