本文選題：FT-CCD　切入點：脈沖激光　出處：《紅外與激光工程》2017年10期

【摘要】：用1 064 nm波長8 ns脈寬激光,以1-on-1模式輻照在評估板驅(qū)動工作下的FT50M型FTCCD圖像傳感器進行實驗。結(jié)果顯示,隨著脈沖能量密度的逐漸提高,在FT-CCD輸出圖像中依次出現(xiàn)輻照點單側(cè)黑線、白點、兩側(cè)白線等典型毀傷現(xiàn)象。這區(qū)別于IT-CCD在脈沖激光輻照下依次出現(xiàn)白點、白線的毀傷過程。通過對比FT-CCD與IT-CCD的結(jié)構(gòu)異同,結(jié)合已知的IT-CCD的毀傷機制,分析認為單側(cè)黑線毀傷現(xiàn)象的首先出現(xiàn)表明了FT-CCD多晶硅電極先于硅襯底受損的激光毀傷模式。文中豐富了對CCD圖像傳感器激光毀傷效應(yīng)的認識,為深入探索CCD激光毀傷機制提供了新的線索。
[Abstract]:FT50M type FTCCD image sensor was irradiated by 1-on-1 mode with a wavelength of 1 064 nm and 8 ns pulse width laser. The experiment was carried out by using a FTCCD image sensor driven by an evaluation plate.The results show that along with the increasing of pulse energy density, the typical damage phenomena such as single side black line, white spot and white line on both sides appear in FT-CCD output image in turn.This is different from the white spot and white line damage process of IT-CCD under pulsed laser irradiation.By comparing the structural similarities and differences between FT-CCD and IT-CCD, combined with the known mechanism of IT-CCD damage, it is considered that the first occurrence of unilateral blackline damage shows that the laser damage mode of FT-CCD polycrystalline silicon electrode is prior to that of Si substrate.This paper enriches the understanding of laser damage effect of CCD image sensor and provides a new clue for further exploring the mechanism of CCD laser damage.
【作者單位】： 西北核技術(shù)研究所激光與物質(zhì)相互作用國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11405132)
【分類號】：TN24

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本文編號：1716018