本文選題：ICP干法刻蝕　切入點(diǎn)：碲鎘汞光導(dǎo)材料　出處：《半導(dǎo)體光電》2017年01期

【摘要】：研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蝕工藝制備長波碲鎘汞光導(dǎo)器件過程中刻蝕氣體壓強(qiáng)對材料電學(xué)參數(shù)的影響。發(fā)現(xiàn)增大氣體壓強(qiáng)會導(dǎo)致材料的電學(xué)性能衰退,表現(xiàn)為材料的載流子濃度增加、遷移率降低以及電阻率增加。分析認(rèn)為增大的壓強(qiáng)使得材料內(nèi)部產(chǎn)生了更多的填隙Hg離子,增強(qiáng)了載流子受到的電離雜質(zhì)散射作用;同時材料內(nèi)部也產(chǎn)生了更多的缺陷,極化聲子散射作用也因此加強(qiáng)。由此解釋了在流片過程中出現(xiàn)的某一批次碲鎘汞光導(dǎo)器件性能的惡化是該批次器件ICP刻蝕工藝中的氣壓參數(shù)增加所致。
[Abstract]:The effect of etching gas pressure on electrical parameters of long wave HgCdTe photoconductive devices prepared by ICP(Inductively Coupled plastic dry etching process was studied.It is found that increasing the gas pressure will lead to the deterioration of the electrical properties of the materials, such as the increase of carrier concentration, the decrease of mobility and the increase of resistivity.It is concluded that the increasing pressure causes more interstitial Hg ions in the material, which enhances the ionizing impurity scattering of carriers, and at the same time, there are more defects in the material, so the polarization phonon scattering is strengthened.It is explained that the deterioration of the performance of a batch of HgCdTe photoconductive devices during the flow sheet process is due to the increase of the pressure parameters in the ICP etching process of the batch device.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國科學(xué)院大學(xué);中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所中國科學(xué)院紅外成像材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(11304335)
【分類號】：TN21

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本文編號：1715347