發(fā)布時(shí)間：2018-04-05 15:15

  本文選題：三維集成電路　切入點(diǎn)：硅通孔　出處：《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》2017年05期

【摘要】：硅通孔(Through Silicon Via)技術(shù)是三維集成電路發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù),因此對(duì)于TSV的缺陷故障檢測(cè)具有十分重要的意義.討論了TSV的物理模型和延時(shí)模型,同時(shí)在先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)(ADS)中建立了TSV的電阻開(kāi)路故障的等效電路模型,提取了RLC參數(shù).然后通過(guò)給等效電路模型施加信號(hào)源,將開(kāi)路故障的輸出延時(shí)與無(wú)故障時(shí)的輸出進(jìn)行對(duì)比,對(duì)不同程度故障的TSV的傳輸延時(shí)進(jìn)行分析,并用最小二乘法擬合出利用延時(shí)來(lái)判斷故障的大小的曲線.
[Abstract]:Through silicon vias (Through Silicon Via) is a key technology in the development of three-dimensional integrated circuits, so it has very important significance for fault detection of TSV is discussed. The physical model and the delay model of TSV, at the same time in the advanced design system (ADS) equivalent circuit model is established in TSV open circuit fault resistance, extract the RLC parameter. Then by applying the signal source to the equivalent circuit model, the output delay will open circuit fault compared with the output when there is no fault, the transmission delay for different faults of TSV are analyzed, and by using least squares fitting using delay to determine the size of the curve of fault.

【作者單位】： 桂林電子科技大學(xué)電子工程與自動(dòng)化學(xué)院;桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51465013) 桂林電子科技大學(xué)研究生創(chuàng)新項(xiàng)目(2016YJCX28) 廣西自動(dòng)檢測(cè)技術(shù)與儀器重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任基金(YQ15109) 廣西研究生教育創(chuàng)新計(jì)劃資助項(xiàng)目(YCSZ2014142)
【分類號(hào)】：TN407

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本文編號(hào)：1715322