本文選題：層狀半導體材料　切入點：鍵弛豫理論　出處：《江蘇師范大學》2017年碩士論文

【摘要】：尺寸、溫度和壓強對層狀半導體材料的禁帶寬度和彈性模量的影響在材料科學研究領域引起了廣泛關注�，F(xiàn)存的理論模型在探索其物理機制的過程中均遇到了不同程度的困難,迫切需要構建新的理論模型闡明尺寸、溫度和壓強對層狀半導體材料的禁帶寬度和彈性模量影響的物理機制。本論文從材料的彈性模量和禁帶寬度的物理內(nèi)涵出發(fā),基于鍵弛豫理論和局域鍵平均近似方法,建立了材料的禁帶寬度和彈性模量與其化學鍵參數(shù)的函數(shù)關系,對幾種層狀半導體材料(MoS2、WS2、ReSe2和BN等)的彈性模量和禁帶寬度的尺寸、溫度及壓強效應進行了深入研究。研究結(jié)果概括如下:(1)建立了材料的禁帶寬度與其化學鍵參數(shù)的函數(shù)關系。揭示了層狀半導體材料禁帶寬度與晶體勢相關,其大小與單建能成正比。闡明了層狀半導體材料表面原子配位的缺陷引起表面弛豫,鍵能增強,晶體勢增加,是禁帶寬度隨尺寸減小而增加的根本原因。高溫或低壓致使鍵能變?nèi)?使晶體勢減小,使禁帶寬度隨溫度的增加或壓強減小而減小。(2)構建了材料的彈性模量與化學鍵參數(shù)的函數(shù)關系。澄清了層狀半導體材料的彈性模量與材料的平均密度成正比。材料表面原子鍵發(fā)生變化,鍵能增強,使表面能量密度增加,是彈性模量隨材料尺寸減小而增加的主要原因。表體比是影響其彈性模量相對變化幅度的關鍵因素。高溫或低壓致使鍵變長,鍵能變?nèi)?引起能量密度減小,使彈性模量隨溫度的增加或壓強的減小而減小。
[Abstract]:The effects of size , temperature and pressure on the forbidden band width and elastic modulus of layered semiconductor materials have attracted extensive attention in the field of material science research .

【學位授予單位】：江蘇師范大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2017
【分類號】：TN304

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本文編號：1713280