本文選題：層狀半導(dǎo)體材料　切入點(diǎn)：鍵弛豫理論　出處：《江蘇師范大學(xué)》2017年碩士論文

【摘要】：尺寸、溫度和壓強(qiáng)對(duì)層狀半導(dǎo)體材料的禁帶寬度和彈性模量的影響在材料科學(xué)研究領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注�，F(xiàn)存的理論模型在探索其物理機(jī)制的過程中均遇到了不同程度的困難,迫切需要構(gòu)建新的理論模型闡明尺寸、溫度和壓強(qiáng)對(duì)層狀半導(dǎo)體材料的禁帶寬度和彈性模量影響的物理機(jī)制。本論文從材料的彈性模量和禁帶寬度的物理內(nèi)涵出發(fā),基于鍵弛豫理論和局域鍵平均近似方法,建立了材料的禁帶寬度和彈性模量與其化學(xué)鍵參數(shù)的函數(shù)關(guān)系,對(duì)幾種層狀半導(dǎo)體材料(MoS2、WS2、ReSe2和BN等)的彈性模量和禁帶寬度的尺寸、溫度及壓強(qiáng)效應(yīng)進(jìn)行了深入研究。研究結(jié)果概括如下:(1)建立了材料的禁帶寬度與其化學(xué)鍵參數(shù)的函數(shù)關(guān)系。揭示了層狀半導(dǎo)體材料禁帶寬度與晶體勢(shì)相關(guān),其大小與單建能成正比。闡明了層狀半導(dǎo)體材料表面原子配位的缺陷引起表面弛豫,鍵能增強(qiáng),晶體勢(shì)增加,是禁帶寬度隨尺寸減小而增加的根本原因。高溫或低壓致使鍵能變?nèi)?使晶體勢(shì)減小,使禁帶寬度隨溫度的增加或壓強(qiáng)減小而減小。(2)構(gòu)建了材料的彈性模量與化學(xué)鍵參數(shù)的函數(shù)關(guān)系。澄清了層狀半導(dǎo)體材料的彈性模量與材料的平均密度成正比。材料表面原子鍵發(fā)生變化,鍵能增強(qiáng),使表面能量密度增加,是彈性模量隨材料尺寸減小而增加的主要原因。表體比是影響其彈性模量相對(duì)變化幅度的關(guān)鍵因素。高溫或低壓致使鍵變長(zhǎng),鍵能變?nèi)?引起能量密度減小,使彈性模量隨溫度的增加或壓強(qiáng)的減小而減小。
[Abstract]:The effects of size , temperature and pressure on the forbidden band width and elastic modulus of layered semiconductor materials have attracted extensive attention in the field of material science research .

【學(xué)位授予單位】：江蘇師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號(hào)】：TN304

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7 肖雨o，

本文編號(hào)：1713280