本文選題：微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)　切入點(diǎn)：基片集成波導(dǎo)(SIW)　出處：《微納電子技術(shù)》2017年06期

【摘要】：設(shè)計(jì)制作了一種基于MEMS工藝的硅腔體環(huán)行器。該環(huán)行器以高阻硅為襯底材料,基于基片集成波導(dǎo)(SIW)技術(shù)的傳輸理論,采用體硅MEMS工藝和低損耗金屬化技術(shù)實(shí)現(xiàn)了硅通孔及通孔金屬化的制備。設(shè)計(jì)并仿真優(yōu)化了硅腔體MEMS環(huán)行器結(jié)構(gòu),給出了一套硅腔體MEMS環(huán)行器制備的工藝流程,針對(duì)該工藝流程方案進(jìn)行了關(guān)鍵參數(shù)的工藝誤差仿真。實(shí)現(xiàn)了中心頻率為13 GHz MEMS環(huán)行器的工藝制作和性能測(cè)試,頻帶內(nèi)插損小于0.5 dB,電壓駐波比(VSWR)小于1.25,隔離度大于20 dB,環(huán)行器尺寸僅為11.0 mm×11.0 mm×2.5 mm,遠(yuǎn)小于對(duì)應(yīng)的波導(dǎo)腔體環(huán)行器。
[Abstract]:A silicon cavity circulator based on MEMS process is designed and fabricated.Based on the transmission theory of substrate integrated waveguide (SIW) technology, bulk silicon MEMS technology and low loss metallization technology are used to fabricate the via and through metallization of silicon.The structure of silicon cavity MEMS circulator is designed and optimized. A set of process flow of silicon cavity MEMS circulator is presented. The process error simulation of key parameters is carried out.The fabrication and performance test of 13 GHz MEMS circulator with center frequency are realized. The insertion loss in frequency band is less than 0.5 dB, the VSWR of VSWR is less than 1.25, the isolation degree is more than 20 dB, and the size of circulator is only 11.0 mm 脳 11.0 mm 脳 2.5 mm, which is much smaller than the corresponding waveguide cavity circulator.
【作者單位】： 專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【分類號(hào)】：TN621

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本文編號(hào)：1706241