本文選題：純錫鍍層　切入點：錫須　出處：《電鍍與涂飾》2017年11期

【摘要】：以無鉛器件及無鉛引線框架為研究對象,采用掃描電鏡、能譜分析了純錫鍍層錫須生長機理。采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法在樣品表面鍍聚氯代對二甲苯(PC)膜,研究了PC膜對錫須生長的抑制效果。結(jié)果表明:Cu/Sn界面處金屬間化合物(IMC)易于向Sn晶界處生長,使得原位體積增加44.8%,因此界面處會產(chǎn)生較大壓應(yīng)力。此壓應(yīng)力會隨著鍍層/基體界面IMC層的不規(guī)則形成而增大。在壓應(yīng)力的作用下,Sn被擠出,從而形成錫須。PC膜對錫須的生長具有明顯的抑制作用,且隨著PC膜厚度的增大,錫須生長變慢,孕育期更長。5μm厚的PC膜能有效抑制錫須生長。
[Abstract]:The mechanism of tin whisker growth in pure tin coating was analyzed by scanning electron microscope (SEM) and energy dispersive spectroscopy (EDS), taking lead-free devices and lead-free lead frame as research objects.The inhibition effect of PC film on the growth of tin whisker was studied by chemical vapor deposition (CVD) method.The results show that the intermetallic compound (IMC) at the W / Cu / Sn interface is easy to grow to the Sn grain boundary, resulting in an increase in the in-situ volume of 44.8 and a large compressive stress at the interface.The compressive stress increases with the irregular formation of IMC layer at the coating / substrate interface.Under compressive stress, Sn was extruded, thus forming tin whisker. PC film had obvious inhibitory effect on the growth of tin whisker. With the increase of the thickness of PC film, the growth of tin whisker became slower, and the growth of tin whisker could be effectively inhibited by PC film with a longer incubation period of 5 渭 m thick.
【作者單位】： 中國工程物理研究院電子工程研究所;
【分類號】：TB306;TN604;TQ153.13

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