本文選題：柱形量子點(diǎn)　切入點(diǎn)：子帶光吸收　出處：《內(nèi)蒙古農(nóng)業(yè)大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：在有效質(zhì)量近似下,研究了應(yīng)變纖鋅礦半導(dǎo)體GaN/AlxGa1-xN柱形量子點(diǎn)中基態(tài)與第一激發(fā)態(tài)波函數(shù)、能級(jí)和導(dǎo)帶內(nèi)的子帶光吸收及其壓力效應(yīng)。數(shù)值計(jì)算了線性和非線性光吸收系數(shù)隨量子點(diǎn)尺寸、組分和光照強(qiáng)度的變化,討論了流體靜壓力對(duì)線性和非線性光吸收的影響。結(jié)果表明：隨著量子點(diǎn)尺寸的減小和組分的增加子帶躍遷吸收峰升高且發(fā)生藍(lán)移；GaN/AlxGa1-xN量子點(diǎn)子帶躍遷產(chǎn)生的吸收峰值會(huì)隨流體靜壓力的減小而增加且發(fā)生紅移。
[Abstract]:Under the effective mass approximation, the ground state and the first excited state wave function in the strained wurtzite semiconductor GaN/AlxGa1-xN columnar quantum dot, the subband light absorption in the energy level and the conduction band, and the pressure effect are studied.The variation of linear and nonlinear optical absorption coefficients with the size, composition and intensity of the quantum dots is numerically calculated. The effects of hydrostatic pressure on the linear and nonlinear optical absorption are discussed.The results show that with the decrease of quantum dot size and the increase of the composition, the absorption peak of subband transition increases and the absorption peak of blue shift gan / Al _ xGa _ 1-xN quantum dot band transition increases with the decrease of hydrostatic pressure and the redshift occurs.
【學(xué)位授予單位】：內(nèi)蒙古農(nóng)業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類(lèi)號(hào)】：O471.1

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1702985