本文選題：瞬時(shí)劑量率　切入點(diǎn)：多電壓　出處：《電子技術(shù)應(yīng)用》2017年01期

【摘要】：瞬時(shí)劑量率輻射會(huì)對集成電路產(chǎn)生不同程度的影響,產(chǎn)生擾動(dòng)、翻轉(zhuǎn)、閂鎖甚至燒毀等問題。針對一款具有兩種電源電壓的0.18μm SRAM電路,利用"強(qiáng)光一號"裝置進(jìn)行了瞬時(shí)γ劑量率輻射試驗(yàn),研究了SRAM電路的內(nèi)核電壓和IO電壓受擾動(dòng)后的恢復(fù)時(shí)間,并對試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了分析。高電源電壓擾動(dòng)恢復(fù)時(shí)間優(yōu)于低電源電壓擾動(dòng)恢復(fù)時(shí)間,該發(fā)現(xiàn)對多電壓集成電路瞬時(shí)劑量率效應(yīng)的評估和加固具有指導(dǎo)意義。
[Abstract]:Instantaneous dose rate radiation can have different effects on integrated circuits, such as disturbance, flip, latch and even burn out. For a 0.18 渭 m SRAM circuit with two kinds of power supply voltage, The instantaneous 緯 dose rate radiation test was carried out by using the "strong light 1" device, and the recovery time after the core voltage and IO voltage of SRAM circuit were disturbed was studied. The recovery time of high power supply voltage disturbance is better than that of low power supply voltage disturbance recovery time. This finding is of guiding significance for the evaluation and reinforcement of instantaneous dose rate effect of multi-voltage integrated circuits.
【作者單位】： 北京微電子技術(shù)研究所;哈爾濱工業(yè)大學(xué);
【分類號】：TN40

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本文編號：1693814