本文選題：襯底處理　切入點(diǎn)：Al　出處：《兵器材料科學(xué)與工程》2017年05期

【摘要】：采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法在藍(lán)寶石襯底上高溫外延生長(zhǎng)高溫Al N外延層,著重研究Al化藍(lán)寶石襯底的時(shí)間對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)、形貌和面內(nèi)應(yīng)變等產(chǎn)生的影響。采用原位監(jiān)測(cè)系統(tǒng)監(jiān)測(cè)外延生長(zhǎng)過(guò)程、掃描電子顯微鏡(SEM)表征樣品的表面形貌、X線衍射(XRD)分析樣品的晶體質(zhì)量與殘余應(yīng)變。結(jié)果表明:適當(dāng)?shù)腁l化襯底可以使高溫Al N外延層表面更加平整,面內(nèi)應(yīng)變得到部分釋放,但是Al化襯底會(huì)引起外延層的結(jié)晶質(zhì)量變差。
[Abstract]:High temperature Al N epitaxial layer was grown on sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. In situ monitoring system is used to monitor the epitaxial growth process. The surface morphology of the samples was characterized by scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD). The results showed that the surface of high temperature Al N epitaxial layer was more smooth and the in-plane strain was partially released by proper Al substrate. However, the crystallization quality of the epitaxial layer will become worse due to Al substrates.
【作者單位】： 公安海警學(xué)院基礎(chǔ)部;寧波市科技信息研究院;
【分類號(hào)】：TN304

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本文編號(hào)：1693500