極紫外光刻機多層膜反射鏡表面碳污染的清洗
本文選題:極紫外光刻機 切入點:碳污染 出處:《光學精密工程》2017年11期
【摘要】:針對極紫外(EUV)光刻機工作過程中,多層膜反射鏡表面沉積碳污染造成的反射率下降問題展開研究,討論了多層膜反射鏡表面碳污染清洗方法。首先描述了在EUV曝光過程中多層膜表面的碳污染形成過程,簡單闡述了碳污染對多層膜反射鏡的危害。然后從清洗機理、速率以及效果等方面詳細描述了多種EUV多層膜表面碳污染清洗方法,分析對比了各清洗技術(shù)在清洗速率和效果等方面的優(yōu)缺點。分析表明:離子體氧和活化氧清洗速率相差不多,可達到2nm/min,但清洗過程中容易造成表面氧化;等離子體氫和原子氫的清洗速率相對較慢,一般在0.37nm/min左右,但清洗過程中不易產(chǎn)生氧化。最后針對不同方法應(yīng)用于在線清洗EUV多層膜反射鏡過程中將遇到的問題和難點進行了討論。
[Abstract]:In this paper, the reduction of reflectance caused by carbon pollution on the surface of multilayer mirror is studied in the course of working on the ultra-ultraviolet (UV) EUV lithography machine. The cleaning method of carbon pollution on the surface of multilayer mirror is discussed. Firstly, the formation process of carbon pollution on the surface of multilayer film during EUV exposure is described, and the harm of carbon pollution to multilayer mirror is briefly described. The cleaning methods of carbon pollution on the surface of EUV multilayer membrane are described in detail in terms of rate and effect. The advantages and disadvantages of each cleaning technology in cleaning rate and effect are analyzed and compared. The results show that the cleaning rate of ion body oxygen is not different from that of activated oxygen, which can reach 2 nm / min, but it is easy to cause surface oxidation during cleaning process. The cleaning rate of plasma hydrogen and atomic hydrogen is relatively slow, generally around 0.37nm/min. However, it is difficult to produce oxidation in the process of cleaning. Finally, the problems and difficulties that will be encountered in the process of on-line cleaning EUV multilayer mirror with different methods are discussed.
【作者單位】: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所應(yīng)用光學國家重點實驗室;
【基金】:國家科技重大專項資助項目(No.2012ZX02702001) 國家自然科學基金資助項目(No.61404139) 應(yīng)用光學國家重點實驗室自主基金資助項目(No.Y5743FQ158) 吉林省重點科技成果轉(zhuǎn)化項目(No.20150307039GX)
【分類號】:TN23
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,本文編號:1692241
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