本文選題：絕緣體上硅(SOI)　切入點(diǎn)：微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)　出處：《微納電子技術(shù)》2017年05期

【摘要】：在基于絕緣體上硅(SOI)材料的IC器件及MEMS器件研發(fā)過程中,薄膜應(yīng)力引起的晶圓變形、膜層脫落等工藝問題,制約了其研發(fā)進(jìn)度和器件性能。對(duì)鍵合SOI材料整體殘余應(yīng)力展開研究,推出埋氧層、背面氧化層、襯底厚度與SOI整體殘余應(yīng)力的關(guān)系,并采用翹曲度值表征由殘余應(yīng)力引起的SOI形變的大小,彎曲度的正負(fù)表征SOI形變的方向。針對(duì)IC和MEMS產(chǎn)品在開發(fā)過程中因殘余應(yīng)力過大而引起的光刻無法吸片、犧牲層釋放不干凈等問題,通過工藝優(yōu)化,制備出與殘余應(yīng)力方向相反、應(yīng)力大小適中的SOI片,從而抵消了部分殘余應(yīng)力,翹曲度由200μm以上下降到100μm以內(nèi),有效解決了工藝異常問題。
[Abstract]:During the research and development of IC devices and MEMS devices based on silicon silicon (SOI) material on insulator, the wafer deformation and film layer shedding caused by thin film stress are discussed. The whole residual stress of bonded SOI material is studied, and the relationship between the buried oxygen layer, the oxide layer on the back, the thickness of the substrate and the residual stress of the whole SOI is deduced. The warpage value is used to characterize the magnitude of SOI deformation caused by residual stress, and the positive and negative bending degree is used to characterize the direction of SOI deformation. The sacrificial layer is not clean and so on. Through the process optimization, the SOI sheet with the opposite direction of residual stress and moderate stress is prepared, which counteracts some residual stress, and the warping degree decreases from more than 200 渭 m to less than 100 渭 m. The problem of abnormal process is solved effectively.
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所;重慶中科渝芯電子有限公司;
【基金】：國家技術(shù)改造項(xiàng)目(201608XT001Y)
【分類號(hào)】：TN304.12

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1691778