本文選題：電荷耦合器件　切入點：中子輻照　出處：《發(fā)光學報》2016年01期

【摘要】：為研究電荷耦合器件空間輻照效應、參數(shù)退化機理,對國產(chǎn)64×64像元電荷耦合器件進行了中子輻照位移損傷效應研究。樣品在中子輻照下,暗信號、暗信號非均勻性和電荷轉(zhuǎn)移效率等關鍵性能參數(shù)退化顯著。研究結果表明:暗信號的退化是由于中子輻照產(chǎn)生的體缺陷能級在耗盡層中充當復合-產(chǎn)生中心,增大了熱載流子的產(chǎn)生率所致,而各像素單元暗信號退化的不一致性使暗信號非均勻性增大;電荷轉(zhuǎn)移效率顯著減小則是由于中子輻照在轉(zhuǎn)移溝道中產(chǎn)生的體缺陷不斷捕獲、發(fā)射電子所引起。在整個實驗過程中,飽和輸出電壓的退化可以忽略不計,表現(xiàn)出較好的抗位移損傷能力。
[Abstract]:In order to study the space irradiation effect and the parameter degradation mechanism of the charge coupled device, the neutron irradiation displacement damage effect of the 64 脳 64 pixel charge coupled device made in China was studied. The key performance parameters such as inhomogeneity of dark signal and charge transfer efficiency degenerate significantly. The results show that the degradation of dark signal is due to the fact that the body defect energy level caused by neutron irradiation acts as the recombination-generation center in the depletion layer. The inconsistency of dark signal degradation in each pixel unit increases the inhomogeneity of the dark signal, and the significant decrease in charge transfer efficiency is due to the continuous capture of the body defects produced by neutron irradiation in the transfer channel. During the whole experiment, the degradation of the saturation output voltage can be neglected, which shows a good ability to resist displacement damage.
【作者單位】： 中國科學院特殊環(huán)境功能材料與器件重點實驗室新疆電子信息材料與器件重點實驗室中國科學院新疆理化技術研究所;中國科學院大學;重慶光電技術研究所;
【基金】：國家自然科學基金(11005152)資助項目
【分類號】：TN386.5

【參考文獻】

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【共引文獻】

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【二級參考文獻】

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本文編號：1674012