本文選題：IGBT模塊　切入點：焊料層裂紋　出處：《浙江大學學報(工學版)》2017年04期

【摘要】：以實際IGBT功率模塊為研究對象,通過有限元分析技術(FEM),探究裂紋損傷對IGBT模塊熱特性及疲勞壽命評估的影響規(guī)律,通過加速老化實驗對有限元仿真結果進行驗證.結果表明,焊料層裂紋是造成IGBT模塊熱阻增加的主要原因,在裂紋未萌生和萌生初期,裂紋對模塊熱特性的影響較小;一旦模塊損傷到某一階段,隨著裂紋的繼續(xù)擴展,模塊熱阻將近似指數(shù)增大,繼續(xù)服役將導致功率模塊在短時間內(nèi)失效.通過研究發(fā)現(xiàn),IGBT模塊的疲勞壽命不僅與功率循環(huán)條件相關,還受到焊料層疲勞現(xiàn)狀的影響,因此計及焊料層的疲勞累積效應的物理壽命模型相對于解析壽命模型能夠更準確地對IGBT模塊壽命進行評估.
[Abstract]:Taking the actual IGBT power module as the research object, the influence of crack damage on thermal characteristics and fatigue life of IGBT module is studied by finite element analysis technique. The finite element simulation results are verified by accelerated aging test. The crack of solder layer is the main reason for the increase of thermal resistance of IGBT module. At the beginning of crack initiation and initiation, the crack has little effect on the thermal characteristics of the module, and once the module is damaged to a certain stage, the crack continues to expand. The thermal resistance of the module will increase approximately, and the continued service will lead to the failure of the power module in a short time. It is found that the fatigue life of the IGBT module is not only related to the power cycle conditions, but also affected by the fatigue status of the solder layer. Therefore, the physical life model taking into account the fatigue cumulative effect of solder layer can evaluate the life of IGBT module more accurately than the analytical life model.
【作者單位】： 重慶大學輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(51477019) 中央高�；究蒲袠I(yè)務費資助項目(106112015CDJXY150004)
【分類號】：TN322.8

【參考文獻】

相關期刊論文 前5條

1 唐勇;汪波;陳明;劉賓禮;;高溫下的IGBT可靠性與在線評估[J];電工技術學報;2014年06期

2 田蘊杰;張小玲;謝雪松;佘爍杰;呂長志;王任卿;;IGBT熱疲勞工作對焊料層可靠性的影響[J];固體電子學研究與進展;2014年03期

3 吳煜東;常桂欽;彭勇殿;方杰;唐龍谷;李繼魯;;焊層空洞對IGBT模塊熱應力的影響[J];大功率變流技術;2014年01期

4 蔣長順;謝擴軍;許海峰;朱琳;;封裝中的界面熱應力分析[J];電子與封裝;2006年08期

5 李皎明,余岳輝,白鐵城,彭昭廉;晶閘管的瞬態(tài)熱阻抗及其結溫溫升的研究[J];半導體情報;2001年02期

相關博士學位論文 前1條

1 郭祥輝;電子封裝結構超聲顯微檢測與熱疲勞損傷評估[D];北京理工大學;2015年

相關碩士學位論文 前3條

1 董少華;IGBT器件熱可靠性的研究[D];山東大學;2014年

2 張雪垠;基于FEM的功率IGBT模塊功率循環(huán)可靠性研究[D];上海交通大學;2014年

3 翟超;IGBT模塊封裝熱應力研究[D];浙江大學;2013年

【共引文獻】

相關期刊論文 前7條

1 童華清;許石義;黃劍華;莫炯炯;王志宇;郁發(fā)新;;帶有源偏置的系統(tǒng)級封裝低噪聲放大器模塊[J];浙江大學學報(工學版);2017年04期

2 周守利;俞俊學;陳偉;熊德平;;低功耗單片低噪聲放大器芯片[J];浙江工業(yè)大學學報;2016年06期

3 牛吉強;張楊;關敏;王成艷;崔利杰;楊秋e，

本文編號：1655727