本文選題：雙結深光電二極管　切入點：波長檢測芯片　出處：《半導體光電》2017年06期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：雙結深光電二極管包括一深一淺兩個光電二極管,深、淺pn結光電二極管的光電流比值I_2/I_1隨入射光波長單調增加。文章基于0.5μm CMOS工藝對雙結深光電二極管深、淺結光電流進行了數(shù)學建模和Matlab仿真。設計了片上信號處理電路,將雙結深光電二極管深、淺結光電流比值轉換成電壓輸出。仿真結果表明,信號處理電路的輸出與ln(I_2/I_1)具有良好的線性關系。單片集成的CMOS波長檢測芯片可用于未知熒光的波長檢測和特異性分析。
[Abstract]:Double junction photodiode includes a deep shallow two photodiodes, deep, light current ratio I_2/I_1 of shallow PN junction photodiode increases with the wavelength of incident light. Based on monotone 0.5 m CMOS process of double junction photodiode deep and shallow junction photocurrent. The mathematical modeling and Simulation of Matlab. The design of tablets the signal processing circuit, double junction photodiode, shallow junction photocurrent ratio is converted into voltage output. The simulation results show that the output of the LN signal processing circuit (I_2/I_1) has a good linear relationship. The detection wavelength of CMOS monolithic integrated chip can be used for the analysis of wavelength detection and specificity of unknown fluorescence.

【作者單位】： 浙江工業(yè)大學信息學院;
【基金】：國家自然科學基金項目(61306090) 浙江省自然科學基金項目(LY17F040004)
【分類號】：TN31

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本文編號：1638649