本文選題：穩(wěn)定性　切入點：弱堿性　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年12期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：隨著極大規(guī)模集成電路(GLSI)技術(shù)節(jié)點逐漸降低至28 nm,多層銅布線化學(xué)機械拋光過程中弱堿性拋光液的穩(wěn)定性成為人們研究的熱點。以四乙基氫氧化銨作為pH調(diào)節(jié)劑,配制不同pH值的新型弱堿性拋光液,研究各組拋光液的pH值、粒徑、Zeta電位以及銅去除速率、表面粗糙度和去除速率一致性隨存放時間(0,12,24,36和48 h)的變化,并與KOH作為pH調(diào)節(jié)劑的拋光液進行了對比。結(jié)果表明,pH值、粒徑、Zeta電位在存放時間內(nèi)基本不變。pH值大于10時平坦化效果較差,pH值為9.0時,平坦化效果較好,0和48 h銅去除速率為530 nm/min和493.1 nm/min,拋光后銅表面粗糙度為0.718和0.855 nm,銅去除速率一致性為4.31%和4.54%,該拋光液加入雙氧水后可以穩(wěn)定存放48 h以上,可滿足工業(yè)生產(chǎn)的要求。
[Abstract]:With the decrease of GLSI technology node to 28 nm, the stability of weakly alkaline polishing solution in the process of chemical-mechanical polishing of multilayer copper wiring becomes a hot topic. Tetraethylammonium hydroxide is used as pH regulator. A new type of weakly alkaline polishing solution with different pH values was prepared. The changes of pH value, Zeta potential, copper removal rate, surface roughness and removal rate consistency with storage time were studied. The results showed that the pH value, particle size and Zeta potential of KOH as pH regulator were basically unchanged during the storage period. The pH value was greater than 10:00 and the effect of flattening was poor when pH value was 9.0. The surface roughness of polished copper was 0.718 and 0.855 nm, and the consistency of copper removal rate was 4.31% and 4.54 nm. After adding hydrogen peroxide, the copper removal rate could be stably stored for more than 48 hours. Can meet the requirements of industrial production.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;天津市電子材料與器件重點實驗室;
【基金】：國家科技重大專項子課題資助項目(2016ZX02301003-004-007) 天津市自然科學(xué)基金資助項目(16JCYBJC16100) 河北省專業(yè)學(xué)位教學(xué)案例基金資助項目(KCJSZ2017008)
【分類號】：TN405

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本文編號：1625706