本文選題：CdSe晶片　切入點：化學(xué)機械拋光(CMP)　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年10期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：硒化鎘(CdSe)的表面加工質(zhì)量對CdSe基器件的性能至關(guān)重要�；瘜W(xué)機械拋光(CMP)是一種獲得高質(zhì)量晶體加工表面的常用方法。為改善CdSe晶片的表面加工質(zhì)量,以SiO_2水溶膠配制拋光液,研究了拋光液磨料質(zhì)量分數(shù)、拋光液pH值、氧化劑NaClO的質(zhì)量分數(shù)、拋光盤轉(zhuǎn)速和拋光時間等因素對CdSe晶片拋光去除速率和表面質(zhì)量的影響,優(yōu)化了CdSe的CMP工藝參數(shù)。結(jié)果表明,在優(yōu)化工藝條件下,CdSe的平均去除速率為320 nm/min,晶片的拋光表面無明顯劃痕和塌邊現(xiàn)象。原子力顯微鏡(AFM)測量結(jié)果表明,拋光后的CdSe晶片表面粗糙度為0.542 nm,可以滿足器件制備要求。
[Abstract]:The surface processing quality of cadmium selenide (CdSe) is very important to the performance of CdSe based devices. Chemical and mechanical polishing (CMP) is a common method to obtain high quality crystal machined surface. In order to improve the surface processing quality of CdSe wafer, SiO_2 hydrosol is used to prepare polishing solution. The effects of abrasive mass fraction, pH value of polishing liquid, mass fraction of oxidant NaClO, rotation speed of polishing disc and polishing time on the removal rate and surface quality of CdSe wafer were studied. The CMP process parameters of CdSe were optimized. Under the optimized conditions, the average removal rate of CdSe is 320 nm / min, and there is no obvious scratch and sloughing on the polished surface of the wafer. AFM measurements show that the surface roughness of the polished CdSe wafer is 0.542 nm, which can meet the requirements of device fabrication.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;中國電子科技集團公司第四十六研究所;
【基金】：天津市自然科學(xué)基金重點項目(15JCZDJC37800)
【分類號】：TN305.2

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本文編號：1620817