本文選題：Heusler合金　切入點(diǎn)：自旋零能隙半導(dǎo)體　出處：《中國材料進(jìn)展》2017年09期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：自旋零能隙半導(dǎo)體是一類具有接近100%的高自旋極化率,同時與工業(yè)半導(dǎo)體具有良好兼容特性的新型自旋電子學(xué)材料,在自旋注入、自旋晶體管中具有潛在應(yīng)用前景。從理論計算的電子結(jié)構(gòu),結(jié)合實(shí)驗的磁性、輸運(yùn)性質(zhì)能方面對包括Hg_2CuTi型,LiMgPdSn四元等比型的Heusler自旋零能隙半導(dǎo)體及其研究進(jìn)展進(jìn)行了概述。闡明了Heusler合金中自旋零能隙半導(dǎo)體形成的機(jī)制和經(jīng)驗規(guī)律,揭示出原子有序、組分調(diào)制對自旋零能隙半導(dǎo)體性質(zhì)的影響。通過對基于Heusler自旋零能隙半導(dǎo)體的自旋注入體系的構(gòu)建,展望了自旋零能隙半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢和潛在應(yīng)用。
[Abstract]:Spin zero gap semiconductor is a high spin polarization rate is close to 100%, and has good compatibility with semiconductor industry new material properties in spintronics, spin injection, spin transistor has the potential application prospect in electronic structure. From theoretical calculation, combining the magnetic and transport properties of Hg_2CuTi can include Heusler LiMgPdSn, four yuan than the type of spin zero energy gap semiconductor and its research progress were summarized. The spin Heusler alloy zero energy mechanism and empirical rules of gap semiconductor formation, reveal ordered atoms, components can affect the modulation of the spin zero gap semiconductor properties. Through the Heusler spin spin zero energy gap semiconductor injection system construction based on the zero spin, prospect of development trend of semiconductor and potential applications.

【作者單位】： 南京理工大學(xué);中國科學(xué)院物理研究所北京凝聚態(tài)物理國家實(shí)驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(11604148)
【分類號】：TN304

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本文編號：1618421