本文選題：MOSFET　切入點(diǎn)：漏極電流噪聲　出處：《強(qiáng)激光與粒子束》2017年08期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：納米級(jí)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)精確的高頻噪聲模型是毫米波集成電路低功耗設(shè)計(jì)的重要基礎(chǔ),而現(xiàn)有的高頻漏極噪聲模型不僅沒有融合器件的襯底效應(yīng)和柵電阻效應(yīng),也沒有充分考慮器件的頻率和偏置依賴性。針對(duì)上述問(wèn)題,基于納米MOSFET器件的物理特性,并結(jié)合漂移擴(kuò)散方程和有效柵極過(guò)載,建立統(tǒng)一表征強(qiáng)反區(qū)到弱反區(qū)的頻率和偏置依賴性的漏極噪聲模型,使之便于移植到先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)(ADS)仿真設(shè)計(jì)。通過(guò)所建模型的仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行比較,驗(yàn)證所建模型的準(zhǔn)確性。同時(shí)比較所建模型對(duì)130nm和40nm MOSFET兩種不同工藝器件的實(shí)用性,驗(yàn)證其對(duì)表征40nm MOSFET的毫米波噪聲特性的優(yōu)越性。
[Abstract]:Nano metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) high frequency noise is an important basis for the precise model of the low power design of millimeter wave integrated circuit, substrate effect and gate resistance effect and high frequency current drain noise model not only fusion device, there is no full consideration of frequency and bias dependent devices. Aiming at the above problems the physical properties of nano MOSFET devices, based on combining drift diffusion equation and the effective gate drain noise overload, establish unified model characterization of strong to weak anti anti region area frequency and bias dependence, make it easy to transplant to the advanced design system (ADS) simulation design. The simulation results of the model experiment the test results were compared to verify the accuracy of the model. At the same time the utility model of 130nm 40nm and MOSFET two different processing devices, verify the table 40nm MO syndrome The superiority of SFET's millimeter wave noise characteristics.

【作者單位】： 西南科技大學(xué)信息工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(69901003) 四川省教育廳資助科研項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN386

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 唐冬和;杜磊;王婷嵐;陳華;陳文豪;;納米尺度MOSFET過(guò)剩噪聲的定性分析[J];物理學(xué)報(bào);2011年10期

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 羅震;王軍;;毫米波頻段下MOSFET漏極電流噪聲的統(tǒng)一模型[J];強(qiáng)激光與粒子束;2017年08期

2 賈曉菲;何亮;;實(shí)際納米MOSFET電流噪聲及其相關(guān)特性分析[J];中國(guó)科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué);2014年06期

3 賈曉菲;杜磊;唐冬和;王婷嵐;陳文豪;;準(zhǔn)彈道輸運(yùn)納米MOSFET散粒噪聲的抑制研究[J];物理學(xué)報(bào);2012年12期

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前8條

1 倪錫龍;;FET用于放大器溫度補(bǔ)償[J];電測(cè)與儀表;1981年07期

2 楊緒華,孫青;MOSFET亞閾值電流特性[J];半導(dǎo)體技術(shù);1988年03期

3 陳菊華;;避免MOS管在測(cè)試時(shí)受EOS損壞的方法[J];電子與封裝;2007年08期

4 A.Ochoa ,Jr ,F.W.Sexton ,T.F.Wrobel ,G.L.Hash ,R.J.Sokel ,陳國(guó)芳;急變返回—MOS器件一種穩(wěn)定的正反饋擊穿方式[J];微電子學(xué);1984年06期

5 顧江;施敏;王強(qiáng);蔡小鵬;;高P_r/低P_r柵FFET漏極電流與鐵電材料特性的關(guān)系[J];微納電子技術(shù);2010年11期

6 ;開卷有益[J];國(guó)外電子元器件;1995年05期

7 Alan Elbanhawy;;構(gòu)建理想的功率MOSFET[J];中國(guó)電子商情(基礎(chǔ)電子);2007年08期

8 ;[J];;年期

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前1條

1 張達(dá) 摘譯;大功率MOSFET的V_(GS)測(cè)量電路[N];電子報(bào);2011年

，

本文編號(hào)：1616875