本文選題：納電子學(xué)　切入點：InGaAs　出處：《微納電子技術(shù)》2016年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：InGaAs HEMT器件和納米加工技術(shù)的結(jié)合推動了InGaAs納電子學(xué)的發(fā)展,在太赫茲和后CMOS邏輯電路兩大領(lǐng)域產(chǎn)生重要影響。綜述了InGaAs納電子學(xué)近10年在兩大領(lǐng)域的發(fā)展路徑和最新進展。在太赫茲領(lǐng)域,InGaAs納電子學(xué)以InGaAs HEMT發(fā)展為主,沿著提高溝道In組分、縮小T型柵長、減少勢壘層厚度和寄生電阻的技術(shù)路線發(fā)展。InGaAs太赫茲單片集成電路(TMIC)的工作頻率達到1 THz,成為目前工作頻率最高的晶體管。在后CMOS邏輯電路領(lǐng)域,InGaAs納電子學(xué)以InGaAs MOSFET發(fā)展為主,沿著提高復(fù)合量子阱溝道中的In組分、縮小平面器件結(jié)構(gòu)中的柵長、縮小立體器件結(jié)構(gòu)中的鰭寬、減少埋柵結(jié)構(gòu)中復(fù)合高k介質(zhì)柵厚度、減少寄生電阻和在大尺寸Si晶圓上與Ge MOSFET共集成的技術(shù)路線發(fā)展。鰭寬為30 nm的InGaAs FinFET的亞閾值斜率(SS)為82 mV/dec,漏感生勢壘降低(DIBL)為10 mV/V,最大跨導(dǎo)(g_(m,max))為1.8 mS/μm,導(dǎo)通電流(I_(ON))為0.41 mA/μm,關(guān)斷電流(I_(OFF))為0.1μA/μm,其性能優(yōu)于同尺寸的Si FinFET,具有成為后CMOS的7 nm節(jié)點后替代NMOSFET器件的潛力。
[Abstract]:The combination of InGaAs HEMT devices and nanofabrication technology promotes the development of InGaAs nanoelectronics. This paper reviews the development path and the latest progress of InGaAs nanoelectronics in the past 10 years. In the terahertz field, the development of InGaAs HEMT is the main development of InGaAs nanoelectronics. Along with increasing channel in composition, reducing T gate length, The technical route of reducing barrier layer thickness and parasitic resistance. The operating frequency of InGaAs terahertz monolithic integrated circuit (THz) reaches 1 THZ, which is the highest operating frequency transistor at present. In the field of post CMOS logic circuits, the development of InGaAs MOSFET is the main part of InGaAs nanoelectronics. Along with the increase of in component in the channel of composite quantum well, the gate length in planar device structure is reduced, the fin width in three-dimensional device structure is reduced, and the thickness of composite high k dielectric gate in buried gate structure is reduced. Technical development of reducing parasitic resistance and co-integration with GE MOSFET on a large Si wafer. For InGaAs FinFET with fin width of 30 nm, the sub-threshold slope is 82 MV / r / decode, the leakage induced barrier reduction is 10 MV / V, the maximum transconductance is 1.8 mS/ 渭 m, and the conduction current is 1.8 mS/ / 渭 m. Its performance is better than that of Si FinFETs of the same size, and has the potential to replace NMOSFET devices after becoming 7nm nodes of CMOS. The results show that: (1) the number of mA/ / 渭 m is 0.41 mA/ / 渭 m, and the turn-off current is 0. 1 渭 A / 渭 m, which is superior to that of Si FinFETs of the same size.
【作者單位】： 中國電子科技集團公司;專用集成電路重點實驗室;
【分類號】：TN386

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本文編號：1594633