本文選題：反射Z-掃描　切入點：In　出處：《蘇州大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：半導(dǎo)體材料一般具有較強的光學(xué)非線性效應(yīng),在半導(dǎo)體激光器、光開關(guān)、光限幅、光信息處理等方面具有重要的應(yīng)用價值。新型的Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體In N是直接能隙半導(dǎo)體材料,禁帶寬度對應(yīng)紅外波段,同時載流子濃度、表面電子濃度和電子遷移率很高,在紅外光電器件、非線性光子器件等方面具有很大的潛力。近年來,對氮化銦光學(xué)非線性方面的研究主要集中在In N薄膜材料,本文主要利用反射Z-掃描技術(shù)研究In N體材料在可見波段的光學(xué)非線性性質(zhì),并利用透射Z-掃描技術(shù)研究其在近紅外波段的非線性吸收特性。本文從反射Z-掃描技術(shù)的理論出發(fā),數(shù)值模擬了線性折射、線性吸收、入射角度等物理參數(shù)對開孔反射Z-掃描反射光能量的影響,通過分析討論得出開孔反射Z-掃描不受非線性吸收的影響的條件。通過半透明半導(dǎo)體材料Zn Se的透射Z-掃描測量中掃描樣品和移動透鏡的實驗,結(jié)合其移動透鏡反射Z-掃描實驗,比較實驗結(jié)果得出移動透鏡進行反射Z-掃描實驗的方案是可行的,而且與掃描樣品的反射Z-掃描方法相比更具有優(yōu)勢。采用移動透鏡的反射Z-掃描方法研究了In N體材料在532nm波長處的光學(xué)非線性性質(zhì),結(jié)果表明在皮秒脈沖激發(fā)下In N樣品存在正折射和強的飽和吸收效應(yīng)。大的非線性折射系數(shù)表明In N材料在光開關(guān)研制方面具有很大的潛力。在1030nm波長處利用飛秒透射Z-掃描技術(shù)研究了In N的非線性吸收性質(zhì)。由于In N樣品的帶隙較窄,在飛秒脈沖激發(fā)下,介質(zhì)的線性吸收引起帶填充,產(chǎn)生了飽和吸收效應(yīng)。
[Abstract]:Semiconductor materials generally have strong optical nonlinear effects, in semiconductor lasers, optical switches, optical limiting, The optical information processing has important application value. The new type 鈪，

本文編號：1592417