太赫茲互補金屬氧化物半導體場效應管探測器理論模型中擴散效應研究
本文選題:互補金屬氧化物半導體場效應管探測器 切入點:太赫茲 出處:《物理學報》2017年12期 論文類型:期刊論文
【摘要】:針對基于經(jīng)典動力學理論傳統(tǒng)模型中忽略擴散效應的問題,通過對基于玻爾茲曼理論的場效應管傳輸線模型的理論分析,建立了包含擴散效應的太赫茲互補金屬氧化物半導體(CMOS)場效應管探測器理論模型,研究擴散效應對場效應管電導及響應度的影響.同時,將此模型與忽略了擴散效應的傳統(tǒng)模型進行了對比仿真模擬,給出了兩種模型下的電流響應度隨溫度及頻率變化的差別.依據(jù)仿真結(jié)果,并結(jié)合3σ原則明確了場效應管傳輸線模型中擴散部分省略的依據(jù)和條件.研究結(jié)果表明:擴散部分引起的響應度差異大小主要由場效應管的工作溫度及工作頻率決定.其中工作頻率起主要作用,溫度變化對差異大小影響較為微弱;而對于工作頻率而言,當場效應管工作頻率小于1 THz時,模型中的擴散部分可以忽略不計;而當工作頻率大于1 THz時,擴散部分不可省略,此時場效應管模型需同時包含漂移、散射及擴散三個物理過程.本文的研究結(jié)果為太赫茲CMOS場效應管理論模型的精確建立及模擬提供了理論支持.
[Abstract]:Aiming at the problem of neglecting the diffusion effect in the traditional model based on classical dynamics theory, the transmission line model of FET based on Boltzmann theory is analyzed theoretically. A theoretical model of terahertz complementary metal oxide semiconductor CMOS detector with diffusion effect is established to study the effect of diffusion effect on conductance and responsivity of FET. The model is compared with the traditional model which neglects the diffusion effect, and the difference of current responsivity with temperature and frequency under the two models is given. Combined with the 3 蟽 principle, the basis and condition of omitting the diffusion part in the transmission line model of FET are clarified. The results show that the difference of the responsivity caused by the diffusion part is mainly caused by the working temperature and frequency of the FET. Decisions. In which the frequency of work plays a major role, The temperature change has a weak effect on the difference, but for the frequency, the diffusion part in the model can be ignored when the working frequency is less than 1 THz, but the diffusion part can not be omitted when the working frequency is greater than 1 THz. In this case, the FET model should include three physical processes: drift, scattering and diffusion. The results of this paper provide theoretical support for the accurate establishment and simulation of the theoretical model of THz CMOS FET.
【作者單位】: 北京理工大學光電學院;首都師范大學物理系;
【基金】:國家自然科學基金(批準號:61377109)資助的課題~~
【分類號】:TN386
【相似文獻】
相關期刊論文 前10條
1 申成功;場效應管的特性、檢測及使用(中)[J];家庭電子;2003年03期
2 申成功;場效應管的特性、檢測及使用(下)[J];家庭電子;2003年04期
3 陳帥;;場效應管廣義對象的數(shù)字公式表示方法[J];中國西部科技;2008年36期
4 秦洋陽;林孫如;;一種新型的場效應管的驅(qū)動方式[J];知識經(jīng)濟;2009年04期
5 鐘文祥;;單端A類放大器及場效應管(2)[J];音響技術;2010年05期
6 仲崇楠;;場效應管的日常使用及測量[J];民營科技;2013年07期
7 ;我校結(jié)型場效應對稱管產(chǎn)品獲得信譽[J];福州大學學報;1981年03期
8 ;用場效應管切換存貯電器源[J];電訊技術;1989年03期
9 李瑞云;;淺談場效應管基本測量方法[J];黑龍江科技信息;2014年05期
10 楊善曉;;功率場效應管的檢測技巧[J];家電檢修技術;2000年10期
相關會議論文 前10條
1 馬草原;許燕青;狄京;李曉慶;楊舒程;;場效應管基本原理教學方法初探[A];第6屆全國高等學校電氣工程及其自動化專業(yè)教學改革研討會論文集(上冊)[C];2009年
2 張偉平;沈楚玉;;用一種組合優(yōu)化算法提取場效應管模型參數(shù)[A];1995年全國微波會議論文集(下冊)[C];1995年
3 于洪喜;單民珩;潘建華;崔駿業(yè);;Ku波段25瓦場效應固態(tài)放大器[A];1995年全國微波會議論文集(上冊)[C];1995年
4 徐希俊;沈楚玉;;一種新的微波場效應管等效電路參數(shù)提取方法[A];1993年全國微波會議論文集(下冊)[C];1993年
5 馬草原;許燕青;張智宏;秦亞男;;模擬電子技術教學方法研究[A];全國高等學校電子技術研究會2006年年會論文集[C];2006年
6 顧忠誠;王偉;;雙柵場效應管介質(zhì)振蕩器研究與應用[A];2005年海峽兩岸三地無線科技學術會論文集[C];2005年
7 胡加興;劉寶元;郭榮禮;;聚乙烯醇作為絕緣層的有機場效應管[A];2010年西部光子學學術會議摘要集[C];2010年
8 王欣;唐丹;陳敏德;郝曉敏;;場效應管高壓納秒脈沖源技術[A];中國工程物理研究院科技年報(2002)[C];2002年
9 何盛資;王永彬;李敦白;;微波功率場效應管測試中的現(xiàn)象分析[A];1985年全國微波會議論文集[C];1985年
10 張文強;年夫順;寧曰民;姜萬順;;TGF2023系列場效應管寬帶匹配網(wǎng)絡設計[A];2011年全國微波毫米波會議論文集(下冊)[C];2011年
相關重要報紙文章 前10條
1 ;淺談場效應管D極與S極的互換[N];電子報;2007年
2 廣西 榮祖福;談場效應管的D極與S極[N];電子報;2007年
3 山東 李江杰;場效應管D極與S極能否隨意互換?[N];電子報;2007年
4 廣州 劉遠兵;場效應管使用經(jīng)驗[N];電子報;2007年
5 四川 鐘榮 鐘建;用普通開關管代換場效應管[N];電子報;2005年
6 河北 劉德村;電動車大功率場效應管篩選器[N];電子報;2006年
7 河南 蔡自治;用結(jié)型場效應管制作多用感應測電筆[N];電子報;2012年
8 王羅毅;場效應管和雙極型晶體管的比較和選擇[N];北京電子報;2000年
9 安康廣播轉(zhuǎn)播臺 陳世貴;場效應攻放管檢測儀[N];陜西科技報;2007年
10 長春 李洪臣;結(jié)型和絕緣柵型場效應管的轉(zhuǎn)移特性曲線分析[N];電子報;2007年
相關博士學位論文 前4條
1 李堯;小分子近紅外光敏有機場效應管研究[D];蘭州大學;2016年
2 姚博;高性能小分子有機光敏場效應管研究[D];蘭州大學;2014年
3 王曉鵬;先進三維集成電路(3D-IC)中硅通孔(TSV)和氮化鎵(GaN)場效應管中的電—熱—力特性研究[D];浙江大學;2011年
4 王慧泉;基于場效應管檢測的新型納機電諧振器基礎研究[D];浙江大學;2008年
相關碩士學位論文 前10條
1 程笑林;場效應管瞬態(tài)電熱特性的譜元法分析[D];南京理工大學;2015年
2 王歡;基于納米器件構(gòu)建的CMOS邏輯電路設計研究[D];南京郵電大學;2015年
3 徐敏;新型納米場效應管量子效應及其對構(gòu)建電路影響[D];南京郵電大學;2015年
4 高健;碳基場效應管的隧穿電流及其對邏輯電路的影響[D];南京郵電大學;2015年
5 孫媛;新型納米器件及其應用電路建模分析[D];南京郵電大學;2016年
6 許紅松;基于新型納米場效應管的納電子電路的研究[D];南京郵電大學;2016年
7 徐偉;面向生物分子檢測的基于MoS_2薄膜的場效應管的制備研究[D];東南大學;2016年
8 張潔;神經(jīng)信號讀取用生物敏場效應管的設計與仿真[D];華中科技大學;2015年
9 吳沛;有機場效應管的制作及特性研究[D];東南大學;2005年
10 王躍慶;基于介電潤濕效應的液體場效應管的研制[D];南京郵電大學;2013年
,本文編號:1588917
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1588917.html