本文選題：GaN　切入點：半極性　出處：《半導體技術》2017年10期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：半極性GaN材料的研究在光電器件和電子器件領域有重要意義。采用選區(qū)外延生長技術在Si襯底上生長半極性GaN材料,并制備肖特基勢壘二極管(SBD)。通過測量SBD在不同溫度下的I-V特性曲線,觀察到電流的大小隨著溫度的增加而增加,且受反向偏壓影響,證明半極性GaN基SBD的電流傳輸機制為熱電子場發(fā)射模型。光致發(fā)光光譜和X射線光電子能譜測試進一步表明,相比極性c面GaN材料,半極性GaN材料表面存在較高的氧雜質原子濃度和氮空位,此為半極性GaN肖特基特性偏離熱電子發(fā)射模型的主要因素。
[Abstract]:The study of semi-polar GaN materials is of great significance in the field of optoelectronic devices and electronic devices. The selective epitaxial growth technique is used to grow semi-polar GaN materials on Si substrates. Schottky barrier diode (SBD) was prepared. By measuring the I-V characteristic curves of SBD at different temperatures, it was observed that the current increased with the increase of temperature and was affected by reverse bias. It is proved that the current transport mechanism of semi-polar GaN based SBD is a thermionic field emission model. The photoluminescence spectra and X-ray photoelectron spectroscopy further show that compared with the polar c-plane GaN material, The high oxygen impurity atom concentration and nitrogen vacancy on the surface of semi-polar GaN materials are the main factors that lead to the deviation of the characteristics of semi-polar GaN Schottky from the hot electron emission model.
【作者單位】： 中山大學電子與信息工程學院;中山大學光電材料與技術國家重點實驗室;
【基金】：國家重點研發(fā)計劃資助項目(2016YFB0400100) 國家自然科學基金資助項目(61574173,61274039) 廣東省對外科技合作項目(2013B051000041) 廣州市科技計劃資助項目(2016201604030055) 佛山市科技計劃資助項目(201603130003)
【分類號】：TN304.2

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本文編號：1580766