本文選題：溶膠-凝膠　切入點(diǎn)：Sn摻雜ZnO(SZO)薄膜　出處：《材料工程》2017年08期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用溶膠-凝膠法在普通載玻片上制備Sn摻雜ZnO薄膜(SZO薄膜)。研究空氣退火、低真空退火、高真空退火、氮?dú)馔嘶�、三高退火、循環(huán)退火6種不同退火條件對(duì)SZO薄膜光電性能的影響。結(jié)果表明:6種不同的退火條件制備的SZO薄膜均為纖鋅礦結(jié)構(gòu)且具有c軸擇優(yōu)取向生長的特性。高真空退火下,SZO薄膜的結(jié)晶狀況和電學(xué)性質(zhì)最優(yōu),最低電阻率可達(dá)到5.4×10~(-2)Ω·cm。薄膜的可見光區(qū)平均透過率均大于85%。薄膜在390nm和440nm附近(325nm光激發(fā)下)都出現(xiàn)光致發(fā)光峰,在空氣、氮?dú)狻⒌驼婵罩型嘶鸷蟊∧?40nm處發(fā)光強(qiáng)度最為顯著。
[Abstract]:Sn-doped ZnO thin films were prepared on ordinary glass substrates by sol-gel method. Air annealing, low vacuum annealing, high vacuum annealing, nitrogen annealing, triple-high annealing were studied. The effect of six different annealing conditions on the optical and electrical properties of SZO thin films was studied. The results show that the SZO films prepared under 6 different annealing conditions are wurtzite structure and have the characteristic of c-axis preferred orientation growth. The crystallization and electrical properties of SZO thin films are optimal. The lowest resistivity is 5.4 脳 10 ~ (-2) 惟 路cm ~ (-2) 惟 路cm ~ (-1). The average transmittance in the visible region of the films is higher than 85. The photoluminescence peaks are observed at 390nm and 440nm, respectively. The luminescence intensity is the most obvious at 440 nm after annealing in air, nitrogen and low vacuum.
【作者單位】： 商洛學(xué)院電子信息與電氣工程學(xué)院;西北工業(yè)大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51472205) 商洛學(xué)院科研基金項(xiàng)目(14SKY009)
【分類號(hào)】：O484.4;TN304.21

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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