發(fā)布時(shí)間：2018-03-03 08:26

  本文選題：單電子晶體管(SET)　切入點(diǎn)：原子力掃描探針　出處：《微納電子技術(shù)》2017年06期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：單電子晶體管(SET)可用作超靈敏電荷計(jì),將SET集成到原子力掃描探針上,可得到對被測樣品的表面形貌和電荷空間分布掃描成像。介紹了一種硅基臺階型原子力掃描探針與SET的集成方案。一對共漏極的SET集成在臺階型針尖上,臺階型的針尖和靜電探針的設(shè)計(jì)避免了SET的刻蝕損傷。通過SET和靜電探針的電容耦合來實(shí)現(xiàn)電荷探測。將掃描探針與石英音叉進(jìn)行組裝,在8 K低溫下成功實(shí)現(xiàn)了間距2μm金屬光柵10°傾角的形貌掃描,并獲得形貌圖,針尖上的SET具有良好的庫侖阻塞效應(yīng)和單電子隧穿特性。
[Abstract]:The single electron transistor (set) can be used as a hypersensitive charge meter to integrate SET into an atomic force scanning probe. Scanning imaging of surface morphology and charge spatial distribution of the sample can be obtained. An integrated scheme of silicon step atomic force scanning probe and SET is introduced. A pair of SET with common drain is integrated on the step tip. Step tip and electrostatic probe are designed to avoid etching damage of SET. Charge detection is realized by capacitive coupling of SET and electrostatic probe. The scanning probe is assembled with quartz tuning fork. The shape scanning of 10 擄inclination angle of 2 渭 m metal grating was successfully realized at 8 K low temperature, and the topography diagram was obtained. The SET on the tip of the needle has good Coulomb blocking effect and single electron tunneling characteristic.
【作者單位】： 上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11403084,61401456,61271157) 中國科學(xué)院科研裝備研制項(xiàng)目(YZ201152)
【分類號】：TN32

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本文編號：1560266