本文關(guān)鍵詞： IGBT 感性負(fù)載 開通過程　出處：《華北電力大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：針對IGBT的開通過程中,研究了感性負(fù)載條件下IGBT的開通過程中柵極電壓、集電極電流、集射極電壓隨時間變化的特點及其相互關(guān)系。詳細(xì)闡述了柵極電容隨柵極電壓變化的機理以及柵極平臺電壓產(chǎn)生的機理,分析了驅(qū)動電阻對柵極電壓的影響。根據(jù)IGBT開通電流特點,提出用二次函數(shù)來擬合IGBT開通時的集電極電流波形,同時還分析了主回路雜散電感對開通波形的影響。搭建了IGBT動態(tài)開關(guān)特性測試平臺,測量結(jié)果驗證了本文分析的正確性。
[Abstract]:In this paper, the gate voltage and collector current of IGBT under inductive load are studied. The characteristics and relationship between collector voltage and grid voltage are discussed in detail. The mechanism of grid capacitance changing with grid voltage and the mechanism of grid platform voltage generation are described in detail. The influence of drive resistance on gate voltage is analyzed. According to the characteristics of IGBT turn-on current, a quadratic function is proposed to fit the collector current waveform when IGBT is turned on. At the same time, the influence of stray inductance of main loop on the on-off waveform is analyzed, and the test platform of IGBT dynamic switching characteristic is built, and the results verify the correctness of the analysis.
【作者單位】： 華北電力大學(xué)新能源電力系統(tǒng)國家重點實驗室;全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;
【基金】：國家重大科技專項02專項(2015ZX02301)
【分類號】：TN322.8

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本文編號：1555643