本文關(guān)鍵詞： 透射電鏡(TEM) 樣品制備 聚焦離子束(FIB) 失效分析 平面樣品　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2016年12期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：針對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體器件在失效分析過(guò)程中遇到的實(shí)際問(wèn)題,介紹了兩種優(yōu)化的透射電鏡(TEM)樣品制備方法,兩種方法均使用了聚焦離子束(FIB)設(shè)備完成。詳細(xì)描述了兩種制備方法的改善步驟以及改善后的效果。一種方法是通過(guò)增加碳的覆蓋層來(lái)避免TEM圖像重影問(wèn)題;另外一個(gè)方法是利用FIB的不同角度切割能力,來(lái)制備定點(diǎn)的平面TEM樣品。實(shí)踐證明,通過(guò)FIB樣品制備方法的優(yōu)化和改善,解決了45 nm工藝及以下制程的半導(dǎo)體器件失效分析過(guò)程中遇到的此類問(wèn)題,TEM樣品質(zhì)量能得到有效的改善,對(duì)于解決實(shí)際工作中的問(wèn)題非常有效。
[Abstract]:In view of the practical problems encountered in the failure analysis of advanced semiconductor devices, two optimized methods for the preparation of TEM TEM samples are introduced. The two methods are accomplished by focusing ion beam beam (FIB) equipment. The improvement steps and the improved results of the two preparation methods are described in detail. One method is to avoid the problem of TEM image duplication by adding a carbon coating. Another method is to use the different angle cutting ability of FIB to prepare plane TEM samples at fixed points. Practice shows that the preparation method of FIB samples is optimized and improved. The problems encountered in failure analysis of semiconductor devices in 45 nm process and below are solved. The quality of TEM samples can be improved effectively, which is very effective in solving practical problems.
【作者單位】： 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;
【基金】：上海市先進(jìn)集成電路微分析專業(yè)技術(shù)服務(wù)平臺(tái)資助項(xiàng)目(14DZ2294800)
【分類號(hào)】：TN16;TN303

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本文編號(hào)：1548903