本文關鍵詞： 強電磁脈沖 微波場效應管 仿真　出處：《導彈與航天運載技術》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：微波場效應管(MESFET)構成的低噪聲放大器電路常用于射頻前端,是常見的射頻模擬電路。該電路在強電磁脈沖作用下易燒毀,從而導致設備失效。使用半導體器件-電路聯合仿真器對強電磁脈沖作用下的微波場效應管燒毀過程進行仿真,對失效機理開展研究,為進行強電磁脈沖防護提供依據。研究結果表明:強電磁脈沖達到一定的闕值會導致MESFET燒毀,該闕值與強電磁脈沖的上升時間有關,根據仿真結果可進行強電磁脈沖的屏蔽防護。
[Abstract]:The low noise amplifier circuit composed of microwave field effect transistor (MESFET) is often used in the RF front-end and is a common RF analog circuit. The circuit is easily destroyed under the action of strong electromagnetic pulse. The failure mechanism of the microwave field effect tube under strong electromagnetic pulse is simulated by using the semiconductor device / circuit combined simulator, and the failure mechanism is studied. The results show that when the strong electromagnetic pulse reaches a certain threshold, the MESFET will burn down, which is related to the rising time of the strong electromagnetic pulse. According to the simulation results, strong electromagnetic pulse shielding can be carried out.
【作者單位】： 北京宇航系統(tǒng)工程研究所;
【分類號】：TN386

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