發(fā)布時間：2018-02-28 02:16

  本文關(guān)鍵詞： TSV 電鍍仿真 無孔洞填充 保形填充 高深寬比 三維封裝　出處：《中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院工程管理與信息技術(shù)學(xué)院)》2017年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：TSV(Through Silicon Via)技術(shù)是穿透硅通孔技術(shù)的縮寫,簡稱硅通孔技術(shù),是三維集成電路中堆疊芯片實現(xiàn)互連的一種新的技術(shù)方案。使用TSV工藝的產(chǎn)品,可以獲得更好的電性能,實現(xiàn)低功耗、低噪聲、更小的封裝尺寸和多功能化,適應(yīng)消費類電子產(chǎn)品的發(fā)展需求,是微電子技術(shù)未來發(fā)展的一種趨勢。本文在COMSOL軟件TSV電鍍模塊的基礎(chǔ)上給出了一個含兩種添加劑的TSV電鍍仿真模型,并且利用實驗驗證了該仿真模型,同時根據(jù)實驗結(jié)果進一步優(yōu)化了仿真參數(shù)。通過對仿真過程的研究,可以直觀的了解TSV電鍍填充過程,對優(yōu)化電鍍工藝有一定的幫助。電鍍銅填充是TSV技術(shù)的關(guān)鍵工藝,如何實現(xiàn)高深寬比的TSV的電鍍銅填充一直是業(yè)界的難點問題。影響TSV電鍍填充效果的因素有很多,比如TSV的尺寸、形貌,種子層的厚度、連續(xù)性,預(yù)處理工藝等。本文主要從電鍍藥液以及電鍍的工藝條件這兩個方面來研究TSV填充工藝。針對孔徑10μm、孔深100μm的TSV,在12寸晶圓上實現(xiàn)了10x100μmTSV的無孔洞填充,并且保證過電鍍銅層厚度滿足后續(xù)工藝的要求。另外針對孔徑30μm、孔深100μm的TSV的保形填充也做了一些研究,實現(xiàn)了較快的填充速率和較好的電鍍覆蓋率,能滿足實際工藝的要求。本文旨在通過工藝的優(yōu)化調(diào)整,得出一套穩(wěn)定且經(jīng)濟的TSV填充的方法,從而提升TSV技術(shù)的良率,并降低工藝成本,為TSV技術(shù)的量產(chǎn)應(yīng)用做出一些貢獻。
[Abstract]:TSV(Through Silicon via technology is the abbreviation of through through silicon hole technology. It is a new technology scheme for interconnecting stacked chips in 3D integrated circuits. Using TSV technology, we can obtain better electrical performance and achieve low power consumption. Low noise, smaller package size and multi-function to meet the development needs of consumer electronics, This paper presents a simulation model of TSV electroplating with two additives on the basis of COMSOL software TSV electroplating module, and verifies the simulation model by experiments. At the same time, according to the experimental results, the simulation parameters are further optimized. Through the study of simulation process, the TSV electroplating filling process can be intuitively understood, which is helpful to the optimization of electroplating process. Electroplating copper filling is the key technology of TSV technology. How to realize electroplated copper filling of TSV with high aspect ratio has always been a difficult problem in the industry. There are many factors that affect the effect of TSV electroplating filling, such as the size, morphology, thickness and continuity of seed layer of TSV. Pretreatment process, etc. In this paper, the filling process of TSV was studied from the aspects of electroplating solution and electroplating process conditions. For TSVs with pore diameter of 10 渭 m and pore depth of 100 渭 m, 10 x 100 渭 mTSV void filling was realized on a 12-inch wafer. In addition, some research on conformal filling of TSV with pore diameter of 30 渭 m and hole depth of 100 渭 m has been done to achieve faster filling rate and better electroplating coverage. The purpose of this paper is to obtain a stable and economical method of TSV filling through the optimization and adjustment of the process, so as to improve the yield of TSV technology, reduce the process cost, and make some contributions to the mass production and application of TSV technology.
【學(xué)位授予單位】：中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院工程管理與信息技術(shù)學(xué)院)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號】：TN405

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 田玲;李志東;;電鍍銅厚差異對線寬的影響大小[J];印制電路信息;2010年S1期

2 楊智勤;張曦;陸然;韓卓江;;圖解電鍍銅填孔機理[J];印制電路信息;2011年09期

3 張長弓;;試論電鍍銅技術(shù)在電子材料的應(yīng)用[J];電子技術(shù)與軟件工程;2014年05期

4 高群鋒;;電鍍銅銅面對后制程的影響[J];印制電路信息;2011年04期

5 李笑梅;無添加劑的電鍍銅技術(shù)[J];印制電路信息;2001年08期

6 陳于春;田清山;;電鍍銅粒影響因素探究[J];印制電路信息;2011年S1期

7 蔡積慶;;電鍍銅中添加劑的吸附機理解析[J];印制電路信息;2011年05期

8 陳良;劉鎮(zhèn)權(quán);王德槐;程靜;;電鍍銅孿晶形成原因及對產(chǎn)品質(zhì)量的影響[J];印制電路信息;2012年S1期

9 黃炳孟;朱興華;;電鍍銅重工補鍍對產(chǎn)品可靠性的影響[J];印制電路信息;2009年S1期

10 徐自金;;圖形電鍍銅時鍍層燒焦原因的探討[J];印制電路信息;1999年04期

相關(guān)會議論文 前10條

1 李德剛;于先進;董云會;張麗鵬;李忠芳;;交流電鍍銅技術(shù)的研究[A];2008年全國冶金物理化學(xué)學(xué)術(shù)會議專輯（下冊）[C];2008年

2 竇維平;;利用電鍍銅填充微米盲孔與通孔之應(yīng)用[A];2011年全國電子電鍍及表面處理學(xué)術(shù)交流會論文集[C];2011年

3 程凡雄;付海濤;方軍良;;電鍍銅組織結(jié)構(gòu)及其后續(xù)加工性能[A];2009年全國電子電鍍及表面處理學(xué)術(shù)交流會論文集[C];2009年

4 劉云娥;余剛;劉正;;鎂合金上三種電鍍銅工藝研究[A];第十三次全國電化學(xué)會議論文摘要集（下集）[C];2005年

5 Marek Loboda;Robert Marciniak;;伽爾瑪公司生產(chǎn)的電鍍銅接地棒的腐蝕測試和在沙特特殊氣候條件下的戶外測試[A];全國電網(wǎng)中性點接地方式與接地技術(shù)研討會論文集[C];2005年

6 朱鳳鵑;李寧;黎德育;;印制電路板中通孔電鍍銅添加劑的研究[A];2009年全國電子電鍍及表面處理學(xué)術(shù)交流會論文集[C];2009年

7 林金堵;;新型直流電鍍銅填孔技術(shù)將成為PCB電鍍的主流[A];2011年全國電子電鍍及表面處理學(xué)術(shù)交流會論文集[C];2011年

8 林金堵;;PCB電鍍銅技術(shù)與發(fā)展[A];2009年全國電子電鍍及表面處理學(xué)術(shù)交流會論文集[C];2009年

9 朱曉云;郭忠誠;徐瑞東;李國明;蒙炳剛;;電鍍清潔生產(chǎn)技術(shù)重大突破——非金屬直接電鍍專用導(dǎo)電漆的研制與應(yīng)用[A];第六屆全國表面工程學(xué)術(shù)會議暨首屆青年表面工程學(xué)術(shù)論壇論文集[C];2006年

10 蘇暢;馮紹彬;;煤礦液壓支架焦磷酸鹽電鍍銅錫合金的研究[A];河南省化學(xué)會2010年學(xué)術(shù)年會論文摘要集[C];2010年

相關(guān)重要報紙文章 前1條

1 王家峰　記者 程云鶴;鞍鋼結(jié)晶器電鍍銅板走向國際[N];鞍山日報;2010年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 冀林仙;基于多物理場耦合的印制電路電鍍銅互連研究[D];電子科技大學(xué);2016年

2 王沖;PCB通孔電鍍銅添加劑的分子模擬及其作用機制的研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2013年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前8條

1 程萬;高深寬比的TSV電鍍銅填充技術(shù)研究[D];中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院工程管理與信息技術(shù)學(xué)院);2017年

2 尹婷婷;鎂鋰合金表面電鍍銅工藝研究[D];哈爾濱工程大學(xué);2013年

3 伍恒;硅通孔中電鍍銅填充技術(shù)研究[D];大連理工大學(xué);2013年

4 王智香;高酸低銅體系電鍍銅微孔超級填充及微蝕的初步分析[D];陜西師范大學(xué);2011年

5 汪松;印制板深孔酸性電鍍銅添加劑的研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2011年

6 盧神保;AZ91D鎂合金表面電鍍銅/鎳新工藝研究[D];中南大學(xué);2009年

7 朱鳳鵑;通孔電鍍銅添加劑的篩選及其作用機理的探討[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2008年

8 丁春;電鍍銅鎳合金絡(luò)合劑選擇的研究[D];南京理工大學(xué);2008年

，

本文編號：1545322