本文關(guān)鍵詞： 退化模型 瞬態(tài)熱阻抗 溫度循環(huán) 絕緣柵雙極型晶體管　出處：《電氣傳動(dòng)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：瞬態(tài)熱阻抗是表征IGBT模塊熱特性的重要參數(shù),瞬態(tài)熱阻抗的退化可以反映模塊材料的退化,因此研究IGBT瞬態(tài)熱阻抗的退化模型對(duì)IGBT狀態(tài)評(píng)估、壽命預(yù)測(cè)等研究有重大意義。利用溫度循環(huán)老化實(shí)驗(yàn)裝置對(duì)IGBT進(jìn)行溫度循環(huán)沖擊老化,再利用瞬態(tài)熱阻抗測(cè)試平臺(tái)測(cè)試?yán)匣M(jìn)程中IGBT的瞬態(tài)熱阻抗曲線,得到模塊的退化情況。最后分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果建立IGBT瞬態(tài)熱阻抗退化數(shù)學(xué)模型,得到瞬態(tài)熱阻抗的退化規(guī)律。
[Abstract]:Transient thermal impedance is an important parameter to characterize the thermal characteristics of IGBT module. The degradation of transient thermal impedance can reflect the degradation of module material. Therefore, the degradation model of IGBT transient thermal impedance is studied to evaluate the state of IGBT. The research of life prediction is of great significance. The temperature cycle impact aging of IGBT is carried out by using the temperature cycle aging experimental device, and the transient thermal impedance curve of IGBT during the aging process is tested by using transient thermal impedance test platform. Finally, the degradation model of IGBT transient thermal impedance is established and the degradation law of transient thermal impedance is obtained by analyzing the experimental results.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51377044) 2012年度高校博士點(diǎn)專項(xiàng)科研基金(20121317110008)
【分類號(hào)】：TN322.8

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本文編號(hào)：1544951