本文關(guān)鍵詞： 分子束外延(MBE) GaN納米柱陣列 反射光譜 光致發(fā)光光譜 V/Ⅲ比　出處：《微納電子技術(shù)》2017年01期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：使用U-4100紫外可見(jiàn)光光度計(jì)和QM40穩(wěn)態(tài)/瞬態(tài)熒光光譜儀分別對(duì)不同V/Ⅲ比分子束外延(MBE)制備的GaN納米柱陣列進(jìn)行了測(cè)試,分析了V/Ⅲ比對(duì)GaN納米柱表面形貌及發(fā)光特性的影響。反射光譜、透射光譜和室溫穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光光譜結(jié)果表明:MBE制備的GaN納米柱陣列其V/Ⅲ比直接影響納米柱的帶邊發(fā)光、黃帶發(fā)光、藍(lán)帶發(fā)光和光吸收等光學(xué)特性。當(dāng)波長(zhǎng)為480 nm藍(lán)光段時(shí),納米柱有最強(qiáng)的反射能力。納米柱V/Ⅲ比為6∶1時(shí)反射率峰值最大,約為55%,且峰值隨V/Ⅲ比的變化交替變化。納米柱V/Ⅲ比為8∶1時(shí)透射率最大。納米柱V/Ⅲ比為10∶1時(shí)黃帶發(fā)光幾乎消失,且365 nm附近的帶邊發(fā)光和440 nm附近的藍(lán)帶發(fā)光增強(qiáng)。擬合結(jié)果中370 nm為主要的帶邊發(fā)光峰。
[Abstract]:U-4100 UV-Vis photometer and QM40 steady-state / transient fluorescence spectrometer were used to measure the GaN nanoscale arrays prepared by molecular beam epitaxy (MBE) with different V / 鈪，

本文編號(hào)：1540758